Teklif isteği |
Ana sayfa Ürünleraluminum nitride wafer iso çevrimiçi üretici
Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

aluminum nitride wafer iso çevrimiçi üretim

(3)
satın almak Safir Gofret Yüzeyinde Yarı Yalıtımlı Alüminyum Nitrür Gofret AIN çevrimiçi üretici

Safir Gofret Yüzeyinde Yarı Yalıtımlı Alüminyum Nitrür Gofret AIN
İletişim

2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Disinfection LED Chip A thin film of aluminum nitride is a layer of aluminum that is resistant to high temperatur... Daha fazla bilgi edinin
2022-09-27 15:39:57
satın almak 1 inç AlN Tek Kristal wafer 400±50μM S/P/R sınıfı çevrimiçi üretici

1 inç AlN Tek Kristal wafer 400±50μM S/P/R sınıfı
İletişim

AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite ... Daha fazla bilgi edinin
2024-12-06 17:50:21
satın almak ALN 10*10mm2 AlN Tek kristal 400±50μM S/P/R sınıfı çevrimiçi üretici

ALN 10*10mm2 AlN Tek kristal 400±50μM S/P/R sınıfı
İletişim

AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite ... Daha fazla bilgi edinin
2024-12-06 17:49:47
Page 1 of 1
Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret tedarikçi. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.