Ana sayfa Ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

En iyi ürünleri

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Çin GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Boyutlar:50,8 ± 1 mm

Ürün adı:Bağımsız GaN Substratları

Kalınlık:350 ±25µm
Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

Boyutlar:50,8 ± 1 mm

Kalınlık:350 ±25µm

yay:- 10µm ≤ BOW ≤ 10µm
2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Boyutlar:50,8 ± 1 mm

Kalınlık:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 325um 375um C Düzlemi

Ürün adı:GaN Tek Kristal Substrat

Boyutlar:50,8 ± 1 mm

Kalınlık:350 ±25µm
375 um GaN Epitaksiyel Gofret Dikili U-GaN SI-GaN Substratlar

Ürün adı:2 inç Bağımsız U-GaN/SI-GaN Substratlar

Boyutlar:50,8 ± 1 mm

Kalınlık:350 ± 25μm
2 İnç U GaN Substratları SI GaN Substratları 50,8 mm

Ürün adı:2 inç Bağımsız U-GaN/SI-GaN Substratlar

Boyutlar:50,8 ± 1 mm

Kalınlık:350 ± 25μm
Tek Kristal GaN Epitaksiyel Gofret 2 inç C Yüz Katkısız N Tipi

Ürün adı:2 inç Bağımsız U-GaN/SI-GaN Substratlar

Boyutlar:50,8 ± 1 mm

Kalınlık:350 ± 25μm
50.8mm Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 2 İnç Serbest Daimi

Ürün adı:2 inç Bağımsız U-GaN/SI-GaN Substratlar

Ga yüz yüzey pürüzlülüğü:< 0,2 nm (parlatılmış) veya < 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi)

Oryantasyon Düz:(1-100) ± 0,5˚, 16 ± 1 mm
Serbest Dikili U / SI GaN Epitaksiyel Gofret 50.8 mm 350 um

Ürün adı:2 inç Bağımsız U-GaN/SI-GaN Substratlar

Boyutlar:50,8 ± 1 mm

Kalınlık:350 ± 25μm
SP Yüzey 5 X 10mm2 Galyum Nitrür Yüzey 350um

Ürün adı:Bağımsız GaN Substratları

Kalınlık:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 GaN Epitaksiyel Gofret Un Katkılı SI Tipi

Ürün adı:Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat

Kalınlık:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
GaN Tek Kristal Galyum Nitrür Gofret SI Tipi

Boyutlar:5x10mm²

Ürün adı:Bağımsız GaN Substratları

Kalınlık:350 ±25µm

Page 1 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Kategorilere göz at：

GaN Epitaksiyel Gofret

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Çin GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 325um 375um C Düzlemi

375 um GaN Epitaksiyel Gofret Dikili U-GaN SI-GaN Substratlar

2 İnç U GaN Substratları SI GaN Substratları 50,8 mm

Tek Kristal GaN Epitaksiyel Gofret 2 inç C Yüz Katkısız N Tipi

50.8mm Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 2 İnç Serbest Daimi

Serbest Dikili U / SI GaN Epitaksiyel Gofret 50.8 mm 350 um

SP Yüzey 5 X 10mm2 Galyum Nitrür Yüzey 350um

5x10mm2 GaN Epitaksiyel Gofret Un Katkılı SI Tipi

GaN Tek Kristal Galyum Nitrür Gofret SI Tipi

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP