Ana sayfa Ürünler

Sic Epitaksiyel Gofret

En iyi ürünleri

350um 4H SiC substrat

SiC N Tipi Yüzey

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

Çin Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Yüzey Yönü:Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru

politip:İzin Verilmez
6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um

Ürün adı:SiC Yüzey

Kristal Formu:4 saat

Çap:150.0mm+0mm/-0.2mm
4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu:4 saat

Gofret kenarı:eğim
P Düzeyi SI Tipi 6 inç 4H SiC Yarı İzolasyonlu Yüzey 150mm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu:4 saat

Çap:150.0mm+0.0/-0.2mm
4H SiC Epitaksiyel Gofret P-MOS Sınıfı 150,0 mm +0mm/-0,2mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Yüzey Yönü:Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru
150mm 4H SiC Gofret Yarı İzolasyonlu Yüzey 6 inç 350μm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu:4 saat

Çap:150.0mm+0.0/-0.2mm
150.0mm +0mm/-0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret İkincil Düz 3mm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Yüzey Yönü:Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru
N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu:4 saat

Çap:150.0mm+0.0/-0.2mm
47,5 mm ± 1,5 mm SiC Epitaksiyel Gofret 150,0 mm +0mm/-0,2mm Paralel<11-20>±1°

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Yüzey Yönü:Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru
6 inç 4H SiC Substrat N Tipi P SBD Sınıfı 350μm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu:4 saat

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
4H SiC Epitaksiyel Wafer 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Yüzey Yönü:Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru
Güç Cihazları ve Mikrodalga Cihazları için P Seviye 2 İnç SiC Yüzey

Kristal Formu:4H-N/S

Ürün adı:2 inç çapSilisyum Karbür (SiC)Substrat Spesifikasyonu

Çap:50,8 mm±0,38 mm

Page 1 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Kategorilere göz at：

Sic Epitaksiyel Gofret

350um 4H SiC substrat

SiC N Tipi Yüzey

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

Çin Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

P Düzeyi SI Tipi 6 inç 4H SiC Yarı İzolasyonlu Yüzey 150mm

4H SiC Epitaksiyel Gofret P-MOS Sınıfı 150,0 mm +0mm/-0,2mm 47,5 mm ± 1,5 mm

150mm 4H SiC Gofret Yarı İzolasyonlu Yüzey 6 inç 350μm

150.0mm +0mm/-0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret İkincil Düz 3mm

N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm

47,5 mm ± 1,5 mm SiC Epitaksiyel Gofret 150,0 mm +0mm/-0,2mm Paralel<11-20>±1°

6 inç 4H SiC Substrat N Tipi P SBD Sınıfı 350μm

4H SiC Epitaksiyel Wafer 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm

Güç Cihazları ve Mikrodalga Cihazları için P Seviye 2 İnç SiC Yüzey

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP