|
Ürün ayrıntıları:
|
| Ürün adı: | SiC Yüzey | Kristal Formu: | 4 saat |
|---|---|---|---|
| Çap: | 150.0mm+0mm/-0.2mm | Yüzey Yönü: | Eksen Dışı：4°<11-20>±0,5°'ye doğru |
| Birincil Düz Uzunluk: | 47,5 mm ± 1,5 mm | İkincil Düz Uzunluk: | İkinci Daire Yok |
| Vurgulamak: | 6 inç N Tipi Gofret,4H SiC Substrat,N Tipi Gofret P MOS Sınıfı |
||
6 inç 4H-SiC substrat N-Tipi P-MOS Sınıfı 350,0±25,0μm MPD≤0,2/cm2Direnç 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm, güç ve mikrodalga cihazları için
genel bakış
SiC, diyotlar, güç transistörleri ve yüksek güçlü mikrodalga cihazları gibi çok yüksek voltajlı ve yüksek güçlü cihazların imalatında kullanılır.
Epitaksiyel büyüme, toplu büyümede katkılama ve kalınlığın kontrolü zor olduğundan, tasarlanmış doping yoğunluğu ve kalınlığına sahip silisyum karbür (SiC) bazlı cihaz yapılarının aktif katmanlarını üretmek için kullanılır.
Silisyum karbürün (SiC) benzersiz elektronik ve termal özellikleri, onu, silikon veya galyum arsenit cihazlarının yeteneklerinin çok ötesinde çalışan gelişmiş yüksek güçlü ve yüksek frekanslı yarı iletken cihazlar için ideal hale getirir.
| Mülk | P-MOS Sınıfı | P-SBD Derecesi | D Sınıfı |
| Kristal Formu | 4 saat | ||
| politip | İzin Verilmez | Alan≤5% | |
| (MPD)A | ≤0,2 /cm2 | ≤0,5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| Altıgen Plakalar | İzin Verilmez | Alan≤5% | |
| Altıgen Polikristal | İzin Verilmez | ||
| Dahil olanlarA | Alan≤0,05% | Alan≤0,05% | Yok |
| Direnç | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm |
| (EPD)A | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | Yok |
| (TED)A | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | Yok |
| (BPD)A | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | Yok |
| (TSD)A | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | Yok |
| Yığın Hatası | ≤0,5% Alan | ≤1% Alan | Yok |
|
Yüzey Metal Kirlenmesi |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
||
| Çap | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Yüzey Yönü | Eksen Dışı:4°<11-20>±0,5°'ye doğru | ||
| Birincil Düz Uzunluk | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| İkincil Düz Uzunluk | İkinci Daire Yok | ||
| Birincil Düz Yönlendirme | <11-20>±1°'ye paralel | ||
| İkincil Düz Yönlendirme | Yok | ||
| Ortogonal Yanlış Yönlendirme | ±5.0° | ||
| Yüzey | C-Face:Optik Cila,Si-Face:CMP | ||
| Gofret Kenarı | pah kırma | ||
|
Yüzey Pürüzlülüğü (10μm×10μm) |
Si Yüzü Ra≤0,20 nm ； C Yüzü Ra≤0,50 nm | ||
| KalınlıkA | 350,0μm± 25,0 μm | ||
| LTV(10mm×10mm)A | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV)A | ≤6μm | ≤10μm | |
| (YAY)A | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Çözgü)A | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Cipsler/Girintiler | İzin Verilmez ≥0,5 mm Genişlik ve Derinlik | Miktar 2 ≤1,0 mm Genişlik ve Derinlik | |
|
çiziklerA (Si Yüz, CS8520) |
≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤0,5 × Gofret Çapı |
≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤1,5 × Gofret Çap |
|
| TUA(2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | Yok |
| Çatlaklar | İzin Verilmez | ||
| Bulaşma | İzin Verilmez | ||
| Mülk | P-MOS Sınıfı | P-SBD Derecesi | D Sınıfı |
| Kenar Hariç Tutma | 3mm | ||
Not: ile işaretlenen öğeler için 3mm kenar hariç tutma kullanılır.A.
Hakkımızda
Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.
SSS
S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.
İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)
Tel: +8613372109561
