• Turkish
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Teklif isteği |
Ana sayfa ÜrünlerGaN Epitaksiyel Gofret

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
En iyi ürünleri
GaN Tek Kristal Substrat

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

C Yüzü GaN Yüzeyi

Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar
2 inch Free-standing SI-GaN Substrates
2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar 2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Büyük resim :  2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Suzhou Çin
Marka adı: GaNova
Sertifika: UKAS/ISO9001:2015
Model numarası: JDCD01-001-021
Ödeme & teslimat koşulları:
Ambalaj bilgileri: 10000 sınıfı temiz oda ortamında, 6 adetlik kasetlerde veya tekli gofret kaplarında vakum paketleme.
Teslim süresi: 3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları: T/T
Yetenek temini: 10000 adet/ay
İletişim

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Açıklama
Boyutlar: 50,8 ± 1 mm Kalınlık: 350 ±25µm
TTV: ≤ 10µm yay: ≤ 20 mikron
Makro Hata Yoğunluğu: 0cm⁻² Kullanılabilir Alan: > %90 (kenar hariç tutma)
Ürün adı: Bağımsız GaN Substratları Dislokasyon Yoğunluğu: 1x 10⁵ - 3 x 10⁶cm⁻² (CL ile hesaplanmıştır)*
Vurgulamak:

350um GaN Epitaksiyel Gofret

,

Dikili GaN Substratlar

,

GaN Epitaksiyel Wafer 10 X 10

2 inç C-yüz Fe katkılı SI tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Özdirenç > 106Ω·cm RF cihazları

 

AlGaN ve GaN arayüzünden üretilen iki boyutlu elektron gazının Fe tutucu taşıyıcısını ve tabaka dirençlerini azaltmak için, Fe katkılı ve katkısız GaN çift-epi-katmanlarının kalınlık oranı da optimize edildi.Optimum katkı konsantrasyonu Fe katkılı GaN ve uygun kalınlıkta katkısız GaN ile AlGaN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörler başarıyla geliştirilmiştir.

 

 

2 inçmüstakilSI-GaN Syüzeyler
  Emükemmelseviye (S) Üretim seviyesi (A) Araştırma düzeyi (B) Sahte seviye (C)

 

 

 

 

 

 

 

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Not:

(1) Kullanılabilir alan: kenar ve makro kusurları hariç tutma

(2) 3 nokta: konumların yanlış kesim açıları (2, 4, 5) 0,35 ± 0,15'tirÖ
S-1 S-2 A-1 A-2
Boyut 50,8 ± 1 mm
Kalınlık 350 ± 25mikron
Oryantasyon düz (1-100) ± 0,5Ö, 16 ± 1 mm
İkincil oryantasyon düz (11-20) ± 3Ö, 8 ± 1 mm
Özdirenç (300K) > 1x106Yarı yalıtım için Ω·cm (Fe katkılı; GaN-FS-C-SI-C50)
TTV ≤ 15 mikron
YAY ≤ 20 mikron ≤ 40 mikron
Ga yüz yüzey pürüzlülüğü

< 0,2 nm (cilalı)

veya < 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi)
N yüz yüzey pürüzlülüğü

0,5 ~1,5 mikron

seçenek: 1~3 nm (ince zemin);< 0,2 nm (cilalı)
paket Temiz bir odada tek gofret kabında paketlenmiştir
Kullanılabilir alan > %90 >%80 >%70
çıkıkyoğunluk <9.9x105santimetre-2 <3x106santimetre-2 <9,9x105santimetre-2 <3x106santimetre-2 <3x106santimetre-2
Oryantasyon: C düzlemi (0001) M eksenine doğru açı dışı

0,35 ± 0,15Ö

(3 puan)

0,35 ± 0,15Ö

(3 puan)

0,35 ± 0,15Ö

(3 puan)
Makro kusur yoğunluğu (delik) 0 cm-2 < 0,3 cm-2 < 1cm-2
Makro kusurlarının maksimum boyutu   < 700 mikron < 2000 mikron < 4000 mikron

 

* Çin'in ulusal standartları (GB/T32282-2015)

 

 

 

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

 

 

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret,

Serbest Daimi GaN Yüzeyler,

Mavi LED GaN Epitaksiyel Gofret

İletişim bilgileri
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)

Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret Tedarikçi. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.