Ana sayfa Ürünler

Sic Epitaksiyel Gofret

En iyi ürünleri

350um 4H SiC substrat

SiC N Tipi Yüzey

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

Çin Sic Epitaksiyel Gofret

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu:4 saat

Yüzey:C-Face:Optik Cila,Si-Face:CMP
4 inç 4H-SiC Substrat P Seviyesi N Tipi 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Direnç 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu:4 saat

Çap:100.0mm+0.0/-0.5mm
2 Inç Güç Aygıtı Yüksek Elektron Hareketliliği Transistörü Epitaxial Wafer

Boyutları:2 inç

Direnci ((300K):< 350 Ω/□

Elektron Konsantrasyonu:> 1800 cm2/(V·S)
Güç cihazı için silikon HEMT Epi levha üzerinde 2 inç GaN

Boyutları:2 inç

Direnci ((300K):< 350 Ω/□

Elektron Konsantrasyonu:> 1800 cm2/(V·S)
6 inç GaN Silikon HEMT Epi Wafer Güç Aygıtı Gallium Nitride GaN Si

Boyutları:6 inç

Direnci ((300K):< 350 Ω/□

Elektron Konsantrasyonu:> 9.0E12 cm-2
Mavi LED GaN Silikon Wafer üzerine Mavi Lazer GaN Epitaxial Wafer

Boyut:2 -4 inç

Min sipariş miktarı:5

Ambalaj bilgileri:100. sınıf temiz oda ortamında, 25 ADET konteynerde, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir
2 inçlik GaN silikon yeşil LED Epi wafer silikon üzerine Gallium Nitride

Boyut:2 inç

Min sipariş miktarı:5

Ambalaj bilgileri:100. sınıf temiz oda ortamında, 25 ADET konteynerde, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir
2 inçlik GaN silikon mavi LD Epi levha GaN mavi lazer silikon üzerinde

Boyut:2 inç

Min sipariş miktarı:5

Ambalaj bilgileri:100. sınıf temiz oda ortamında, 25 ADET konteynerde, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir
Silikon üzerinde GaN mor lazer 2 inç GaN Silikon üzerinde HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Boyutları:2 inç

IQE:Bilinmiyor

İç Kayıp:Bilinmeyen
AlGaN bariyeri 4 inç GaN silikon HEMT Epi wafer galyum nitrit GaN-on-Si üzerinde

Boyutları:2 inç

Direnci ((300K):< 350 Ω/□

Elektron Konsantrasyonu:> 9.0E12 cm-2
4 inç uGaN, silikon dopasız galyum nitrit, silikon epitaksyal levha üzerinde.

Boyut:4 inç

Bikristalin002:<550 ark saniye

Bikristalin102:<550 ark saniye
Silikon Yeşil LED Epi levhalar üzerinde 4 inç GaN SiC epitaksiyel levhalar

Min sipariş miktarı:5

Fiyat:1000

Ambalaj bilgileri:100. sınıf temiz oda ortamında, 25 ADET konteynerde, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir

Page 3 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Kategorilere göz at：

Sic Epitaksiyel Gofret

350um 4H SiC substrat

SiC N Tipi Yüzey

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

Çin Sic Epitaksiyel Gofret

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

4 inç 4H-SiC Substrat P Seviyesi N Tipi 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Direnç 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

2 Inç Güç Aygıtı Yüksek Elektron Hareketliliği Transistörü Epitaxial Wafer

Güç cihazı için silikon HEMT Epi levha üzerinde 2 inç GaN

6 inç GaN Silikon HEMT Epi Wafer Güç Aygıtı Gallium Nitride GaN Si

Mavi LED GaN Silikon Wafer üzerine Mavi Lazer GaN Epitaxial Wafer

2 inçlik GaN silikon yeşil LED Epi wafer silikon üzerine Gallium Nitride

2 inçlik GaN silikon mavi LD Epi levha GaN mavi lazer silikon üzerinde

Silikon üzerinde GaN mor lazer 2 inç GaN Silikon üzerinde HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

AlGaN bariyeri 4 inç GaN silikon HEMT Epi wafer galyum nitrit GaN-on-Si üzerinde

4 inç uGaN, silikon dopasız galyum nitrit, silikon epitaksyal levha üzerinde.

Silikon Yeşil LED Epi levhalar üzerinde 4 inç GaN SiC epitaksiyel levhalar

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP