Ana sayfa Ürünler

Sic Epitaksiyel Gofret

En iyi ürünleri

350um 4H SiC substrat

SiC N Tipi Yüzey

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

Çin Sic Epitaksiyel Gofret

150.0mm +0mm/-0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 47.5mm ± 1.5mm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Yüzey Yönü:Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru

Birincil Düz Uzunluk:47,5 mm ± 1,5 mm
Zorlu Güç Elektroniği İçin 2 İnç SiC Substrate 350μm

Kristal Formu:4 saat

Ürün adı:2 inç çapSilisyum Karbür (SiC)Substrat Spesifikasyonu

Çap:50,8 mm±0,38 mm
0,015Ω•cm—0,025Ω•cm SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cila Si-Face CMP

Ürün adı:6 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Spesifikasyonu

Birincil Düz Yönlendirme:{10-10}±5,0°

Kristal Formu:4 saat
İkincil Düz SiC Yüzey Yok 150,0 mm 47,5 mm

Kristal Formu:4 saat

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Politip İzin Verilmez SiC Epitaksiyel Gofret P-MOS P-SBD D Sınıfı

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Birincil Düz Uzunluk:47,5 mm ± 1,5 mm

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Güç Cihazları ve Mikrodalga Cihazları İçin 260μm Silisyum Karbür Substrat P Seviyesi

Kristal Formu:4 saat

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 4H Kristal Form

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Yüzey Yönü:Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru
P MOS Derece 2 İnç SiC Epi Gofret P Düzeyi P SBD Derece D Derece 150.0mm

Kristal Formu:4 saat

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
4H SiC Epitaksiyel Wafer ≤0,2 /cm2 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0,2mm

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu:4 saat

politip:İzin Verilmez
Güç Cihazları Mikrodalga Cihazları İçin 2 İnç Yarı İletken Gofret P Seviyesi 260μm

Kristal Formu:4 saat

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Fotonik Cihazlar ISO9001 için 4H SiC Epitaksiyel Gofret SiC Gofret Yüzeyi

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu:4 saat

Çap:150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
6 inç 4H SiC N Tipi Yüzey 47,5 mm İkincil Düz Yok

Kristal Formu:4 saat

Yüzey Metal Kirlenmesi:(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11cm⁻²

Ürün adı:Sic Epitaksiyel Gofret

Page 2 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Kategorilere göz at：

Sic Epitaksiyel Gofret

350um 4H SiC substrat

SiC N Tipi Yüzey

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

Çin Sic Epitaksiyel Gofret

150.0mm +0mm/-0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 47.5mm ± 1.5mm

Zorlu Güç Elektroniği İçin 2 İnç SiC Substrate 350μm

0,015Ω•cm—0,025Ω•cm SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cila Si-Face CMP

İkincil Düz SiC Yüzey Yok 150,0 mm 47,5 mm

Politip İzin Verilmez SiC Epitaksiyel Gofret P-MOS P-SBD D Sınıfı

Güç Cihazları ve Mikrodalga Cihazları İçin 260μm Silisyum Karbür Substrat P Seviyesi

150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 4H Kristal Form

P MOS Derece 2 İnç SiC Epi Gofret P Düzeyi P SBD Derece D Derece 150.0mm

4H SiC Epitaksiyel Wafer ≤0,2 /cm2 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0,2mm

Güç Cihazları Mikrodalga Cihazları İçin 2 İnç Yarı İletken Gofret P Seviyesi 260μm

Fotonik Cihazlar ISO9001 için 4H SiC Epitaksiyel Gofret SiC Gofret Yüzeyi

6 inç 4H SiC N Tipi Yüzey 47,5 mm İkincil Düz Yok

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP