Turkish

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Teklif isteği |

Ana sayfa Ürünler

Sic Epitaksiyel Gofret

En iyi ürünleri

350um 4H SiC substrat

350um 4H SiC substrat

SiC N Tipi Yüzey

SiC N Tipi Yüzey

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

Çin Sic Epitaksiyel Gofret

4 inç uGaN, silikon dopasız galyum nitrit, silikon epitaksyal levha üzerinde.

Boyut:4 inç

Bikristalin002:<550 ark saniye

Bikristalin102:<550 ark saniye
Silikon Yeşil LED Epi levhalar üzerinde 4 inç GaN SiC epitaksiyel levhalar

Min sipariş miktarı:5

Fiyat:1000

Ambalaj bilgileri:100. sınıf temiz oda ortamında, 25 ADET konteynerde, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir
Silikon Yeşil LED Epi levhalar üzerinde 4 inç GaN SiC epitaksiyel levhalar

Min sipariş miktarı:5

Fiyat:1000

Ambalaj bilgileri:100. sınıf temiz oda ortamında, 25 ADET konteynerde, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir

Page 4 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Kategorilere göz at：

Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret: 2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi; Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları; 2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret: Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um; 4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um; Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret Tedarikçi. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.