Ana sayfa Ürünler Sic Epitaksiyel Gofret

N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm

Name: N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD03-002-009
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

En iyi ürünleri

350um 4H SiC substrat

SiC N Tipi Yüzey

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

Sertifika

Ben sohbet şimdi

N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm

Büyük resim : N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Suzhou Çin
Marka adı:	GaNova
Sertifika:	UKAS/ISO9001:2015
Model numarası:	JDCD03-002-009

Ödeme & teslimat koşulları:

Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 25 adetlik kasetlerde veya tek gofret kaplarında vakumlu paketleme
Teslim süresi:	3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları:	T/T

İletişim

N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm

Açıklama

Ürün adı:	Sic Epitaksiyel Gofret	Kristal Formu:	4 saat
Çap:	150.0mm+0.0/-0.2mm	Yüzey Yönü:	{0001}±0,2°
çentik yönü:	<1-100>±1°	çentik açısı:	90° +5°/-1°
Vurgulamak:	N Tipi silisyum karbür alt tabaka , 6 inç SiC Alt tabaka , D Sınıfı silisyum karbür alt tabaka 47

6 inç 4H-SiC alt tabaka N-Tipi D Sınıfı 350,0±25,0μm MPD≤5/cm2 Direnç 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm, güç ve mikrodalga cihazları için

genel bakış
Silisyum Karbür (SiC), kovalent bir ağ katıdır.Yapısına bakarsak, silisyum atomlarının karbon atomlarıyla dört yüzlü bir kovalent bağ yardımıyla birbirine bağlandığını görürüz.

Esnek özelliklere sahip eksiksiz bir SiC malzeme çözümü sunuyoruz.

Tamponlu veya tamponsuz kalın epi tabakalar
Çok katmanlı yapılar Pn-kavşakları dahil olmak üzere çeşitli doping seviyeleri
Süreç içi epitaksi Gömülü ve gömülü yapılar, temas katmanları

Mülk	P-MOS Sınıfı	P-SBD Derecesi	D Sınıfı
Kristal Formu	4 saat
politip	İzin Verilmez		Alan≤5%
(MPD)^A	≤0,2 /cm²	≤0,5 /cm²	≤5 /cm²
Altıgen Plakalar	İzin Verilmez		Alan≤5%
Altıgen Polikristal	İzin Verilmez
Dahil olanlar^A	Alan≤0,05%	Alan≤0,05%	Yok
Direnç	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,014Ω•cm—0,028Ω•cm
(EPD)^A	≤4000/cm²	≤8000/cm²	Yok
(TED)^A	≤3000/cm²	≤6000/cm²	Yok
(BPD)^A	≤1000/cm²	≤2000/cm²	Yok
(TSD)^A	≤600/cm²	≤1000/cm²	Yok
Yığın Hatası	≤0,5% Alan	≤1% Alan	Yok
Yüzey Metal Kirlenmesi	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm^-2
Çap	150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Yüzey Yönü	Eksen Dışı:4°<11-20>±0,5°'ye doğru
Birincil Düz Uzunluk	47,5 mm ± 1,5 mm
İkincil Düz Uzunluk	İkinci Daire Yok
Birincil Düz Yönlendirme	<11-20>±1°'ye paralel
İkincil Düz Yönlendirme	Yok
Ortogonal Yanlış Yönlendirme	±5.0°
Yüzey	C-Face:Optik Cila,Si-Face:CMP
Gofret Kenarı	pah kırma
Yüzey Pürüzlülüğü (10μm×10μm)	Si Yüzü Ra≤0,20 nm ； C Yüzü Ra≤0,50 nm
Kalınlık^A	350,0μm± 25,0 μm
LTV(10mm×10mm)^A	≤2μm		≤3μm
(TTV)^A	≤6μm		≤10μm
(YAY)^A	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Çözgü)^A	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Cipsler/Girintiler	İzin Verilmez ≥0,5 mm Genişlik ve Derinlik		Miktar 2 ≤1,0 mm Genişlik ve Derinlik
çizikler^A (Si Yüz, CS8520)	≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤0,5 × Gofret Çapı		≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤1,5 × Gofret Çap
TUA(2mm*2mm)	≥98%	≥95%	Yok
Çatlaklar	İzin Verilmez
Bulaşma	İzin Verilmez
Mülk	P-MOS Sınıfı	P-SBD Derecesi	D Sınıfı
Kenar Hariç Tutma	3mm

Not: ile işaretlenen öğeler için 3mm kenar hariç tutma kullanılır.^A.

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Diğer ürünler

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

Ürün adı: Sic Epitaksiyel Gofret

Yüzey Yönü: Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru

politip: İzin Verilmez

Ortogonal Yanlış Yönlendirme: ±5.0°

6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um

Ürün adı: SiC Yüzey

Kristal Formu: 4 saat

Çap: 150.0mm+0mm/-0.2mm

Yüzey Yönü: Eksen Dışı：4°<11-20>±0,5°'ye doğru

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Ürün adı: Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu: 4 saat

Gofret kenarı: eğim

Çap: 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

P Düzeyi SI Tipi 6 inç 4H SiC Yarı İzolasyonlu Yüzey 150mm

Ürün adı: Sic Epitaksiyel Gofret

Kristal Formu: 4 saat

Çap: 150.0mm+0.0/-0.2mm

Yüzey Yönü: {0001}±0,2°

4H SiC Epitaksiyel Gofret P-MOS Sınıfı 150,0 mm +0mm/-0,2mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Ürün adı: Sic Epitaksiyel Gofret

Çap: 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Yüzey Yönü: Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru

Birincil Düz Uzunluk: 47,5 mm ± 1,5 mm

N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

350um 4H SiC substrat

SiC N Tipi Yüzey

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm

N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm

N Tipi silisyum karbür alt tabaka

6 inç SiC Alt tabaka

D Sınıfı silisyum karbür alt tabaka 47

Silisyum Karbür Epitaksiyel Gofretler,

N Tipi Sic Epitaksiyel Gofret,

Sic Epitaksiyel Gofret C Yüzü

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

P Düzeyi SI Tipi 6 inç 4H SiC Yarı İzolasyonlu Yüzey 150mm

4H SiC Epitaksiyel Gofret P-MOS Sınıfı 150,0 mm +0mm/-0,2mm 47,5 mm ± 1,5 mm

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP