Çin GaN Epitaksiyel Gofret

Makro Kusur yoğunluğu 0cm−2 Dövizlenmemiş SI tipi RF cihazları için serbest duran GaN tek kristal substratı 5*10mm2 M yüzü

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

yay:- 10µm ≤ BOW ≤ 10µm
TTV ≤ 10μm A-Yüzü Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Substrat Direnci 0.1 Ω·cm Güç Cihazı/Lazer W

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25 mikron

Oryantasyon:Bir düzlem (11-20) M eksenine doğru sapma açısı 0 ±0,5° Bir düzlem (11-20) C eksenine sapma açısı -
10*10.5mm2 C-Yüz Fe-Doped SI-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Altyapı Makro Kusur yoğunluğu 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Direnci 106 Ω·Cm RF Aygıtları Wafer

Boyutlar:10 x 10,5 mm²

Kalınlık:350 ±25µm

TTV:≤ 10 mikron
2 inç Yeşil LED GaN Silikon Wafer Boyutu 520±10nm

Ürün adı:Silikon gofret üzerinde yeşil LED GaN

Boyut:2 inç 4 inç

Yüzey Yapısı:20nmTemas katmanı/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)substratlar
10 X 10.5 mm2 C Yüzü Dopedilmemiş N Tip Özgür Durma GaN Tek Kristal Alt Yapı

Ürün adı:GaN Tek Kristal Substrat

Boyutlar:10 x 10,5 mm²

Kalınlık:350 ±25µm
10 X 10,5 mm2 Serbest duran GaN substratları - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Ürün adı:GaN Epitaksiyel Gofret

Boyutlar:10 x 10,5 mm²

Kalınlık:350 ±25µm
4 İnç N-Tipi UID Katkılı Safir Gofret Üzerinde GaN SSP Direnç>0,5 Ω cm LED, Lazer, PIN Epitaksiyel Wafer

Boyutlar:100 ± 0,2 mm

Kalınlık/Kalınlık STD:4,5 ± 0,5μm / < %3

Oryantasyon:C düzlemi (0001) A eksenine doğru açı dışı 0,2 ± 0,1 °
Safir Wafer Üzerinde 4 İnç P Tipi Mg Katkılı GaN SSP Direnç~10Ω Cm LED Lazer PIN Epitaksiyel Gofret

Boyutlar:100 ± 0,2 mm

Ürün adı:4 inç Mg katkılı GaN/Safir Substratlar

İletim Tipi:P tipi
4 İnç Mg Katkılı GaN/Safir Yüzeyler SSP Direnci~10Ω cm LED Lazer PIN Epitaksiyel Gofret

Ürün adı:4 inç Mg katkılı GaN/Safir Substratlar

Boyutlar:100 ± 0,2 mm

İletim Tipi:P tipi
2 inç C-Face Fe-Katkılı SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci > 10⁶ Ω·cm RF Cihazları

Boyutlar:50,8 ± 1 mm

Kalınlık:350 ± 25μm

Oryantasyon Düz:(1-100) ± 0,5˚, 16 ± 1 mm
Silikon Gofret Longueur D'Onde Lazer Üzerinde 2 inç Mavi LED GaN 455±10nm

Ürün adı:Silikon Gofret Üzerinde Mavi LED GaN

Boyutlar:2 inç

AlGaN tampon Kalınlığı:400-600 nm
Boyut 520±10nm 2 inç Yeşil LED GaN Silikon Gofret 20nmTemas Katmanı

Ürün adı:Silikon üzerinde 2-4 inç Yeşil LED GaN

Boyut:2 inç, 4 inç

Boyut:520±10nm

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

GaN Epitaksiyel Gofret

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Çin GaN Epitaksiyel Gofret

Makro Kusur yoğunluğu 0cm−2 Dövizlenmemiş SI tipi RF cihazları için serbest duran GaN tek kristal substratı 5*10mm2 M yüzü

TTV ≤ 10μm A-Yüzü Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Substrat Direnci 0.1 Ω·cm Güç Cihazı/Lazer W

10*10.5mm2 C-Yüz Fe-Doped SI-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Altyapı Makro Kusur yoğunluğu 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Direnci 106 Ω·Cm RF Aygıtları Wafer

2 inç Yeşil LED GaN Silikon Wafer Boyutu 520±10nm

10 X 10.5 mm2 C Yüzü Dopedilmemiş N Tip Özgür Durma GaN Tek Kristal Alt Yapı

10 X 10,5 mm2 Serbest duran GaN substratları - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

4 İnç N-Tipi UID Katkılı Safir Gofret Üzerinde GaN SSP Direnç>0,5 Ω cm LED, Lazer, PIN Epitaksiyel Wafer

Safir Wafer Üzerinde 4 İnç P Tipi Mg Katkılı GaN SSP Direnç~10Ω Cm LED Lazer PIN Epitaksiyel Gofret

4 İnç Mg Katkılı GaN/Safir Yüzeyler SSP Direnci~10Ω cm LED Lazer PIN Epitaksiyel Gofret

2 inç C-Face Fe-Katkılı SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci > 10⁶ Ω·cm RF Cihazları

Silikon Gofret Longueur D'Onde Lazer Üzerinde 2 inç Mavi LED GaN 455±10nm

Boyut 520±10nm 2 inç Yeşil LED GaN Silikon Gofret 20nmTemas Katmanı

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP