Ana sayfa Ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

En iyi ürünleri

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Çin GaN Epitaksiyel Gofret

5*10mm2 M-Yüzü Katkısız N-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci < 0,05 Ω·cm Güç Cihazı/Lazer

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (10-11) Katkısız SI-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazı

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

Oryantasyon:(10- 11) A eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° (10- 11) C eksenine doğru düzlem sapma açısı -
5*10mm2 A-yüz Katkısız n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Direnç < 0,05 Ω·cm Güç cihazı/lazer

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

Oryantasyon:Bir düzlem (11-20) M eksenine doğru sapma açısı 0 ±0,5° Bir düzlem (11-20) C eksenine sapma açısı -
5*10mm2 SP-Face (11-12) Katkısız SI-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci > 10⁶Ω·Cm RF Cihazı

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

Oryantasyon:(11-22) M eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° (11-22) C eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1
5*10mm2 A-Yüz Katkısız SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları Gofret

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
10*10.5mm2 GaN Tek Kristal Substrat C Düzlemi (0001) M Eksenine Doğru Açı Dışı 0.35 ±0.15°

Boyutlar:10 x 10,5 mm²

Kalınlık:350 ±25µm

Oryantasyon:C düzlemi (0001) M eksenine doğru kapalı açı 0,35 ±0,15°
Kalınlık 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar

Ürün adı:Bağımsız GaN Substratları

Boyutlar:10 x 10,5 mm²

Kalınlık:350 ±25µm
10*10.5mm2 GaN Tek Kristal Yüzey Kalınlığı 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm

Ürün adı:GaN Epitaksiyel Gofret

Boyutlar:10*10.5mm²

Kalınlık:350 ±25µm
Safir Wafer Üzerinde 4 İnç N-Tipi Si-Katkılı GaN SSP Özdirenç＜0,05 Ω cm LED, Lazer, PIN Epitaksiyel Gofret

Ürün adı:4 inç Si katkılı GaN/Safir Yüzeyler

Kalınlık/Kalınlık STD:4,5 ± 0,5μm / < %3

Oryantasyon:C düzlemi (0001) A eksenine doğru açı dışı 0,2 ± 0,1 °
GaN Substratlar Ga Yüz Yüzey Pürüzlülüğü < 0,2 nm (Cilalı) Veya < 0,3 nm (Cilalı ve Epitaksi İçin Yüzey İşlemi)

Ürün adı:GaN Tek Kristal Substrat

Boyutlar:10 x 10,5 mm²

Kalınlık:350 ±25µm
Silikon Gofret Üzerinde AlGaN Tampon Kalınlığı 600nm 2 inç Mavi LED GaN

Boyutlar:2 inç /4 inç

AlGaN tampon Kalınlığı:600 nm

Longueur d'onde lazer:455±10nm
LED Lazer PIN Cihazı için 2 ′′ 6 inçlik N Tipi GaN On Sapphire Epitaxial Wafer

Tip::Düz Safir

Polonyalı:Tek tarafı cilalı (SSP) / Çift tarafı cilalı (DSP)

Boyut:50,8±0,2 mm (2 inç)/100±0,2 mm(4 inç)/150 +0,2 mm (6 inç)

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Kategorilere göz at：

GaN Epitaksiyel Gofret

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Çin GaN Epitaksiyel Gofret

5*10mm2 M-Yüzü Katkısız N-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci < 0,05 Ω·cm Güç Cihazı/Lazer

5*10mm2 SP-Face (10-11) Katkısız SI-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazı

5*10mm2 A-yüz Katkısız n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Direnç < 0,05 Ω·cm Güç cihazı/lazer

5*10mm2 SP-Face (11-12) Katkısız SI-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci > 10⁶Ω·Cm RF Cihazı

5*10mm2 A-Yüz Katkısız SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları Gofret

10*10.5mm2 GaN Tek Kristal Substrat C Düzlemi (0001) M Eksenine Doğru Açı Dışı 0.35 ±0.15°

Kalınlık 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar

10*10.5mm2 GaN Tek Kristal Yüzey Kalınlığı 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm

Safir Wafer Üzerinde 4 İnç N-Tipi Si-Katkılı GaN SSP Özdirenç＜0,05 Ω cm LED, Lazer, PIN Epitaksiyel Gofret

GaN Substratlar Ga Yüz Yüzey Pürüzlülüğü < 0,2 nm (Cilalı) Veya < 0,3 nm (Cilalı ve Epitaksi İçin Yüzey İşlemi)

Silikon Gofret Üzerinde AlGaN Tampon Kalınlığı 600nm 2 inç Mavi LED GaN

LED Lazer PIN Cihazı için 2 ′′ 6 inçlik N Tipi GaN On Sapphire Epitaxial Wafer

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP