Ana sayfa Ürünler GaN Epitaksiyel Gofret

Boyut 520±10nm 2 inç Yeşil LED GaN Silikon Gofret 20nmTemas Katmanı

Name: Boyut 520±10nm 2 inç Yeşil LED GaN Silikon Gofret 20nmTemas Katmanı
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDWY03-002-016
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

En iyi ürünleri

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Sertifika

Ben sohbet şimdi

Boyut 520±10nm 2 inç Yeşil LED GaN Silikon Gofret 20nmTemas Katmanı

Büyük resim : Boyut 520±10nm 2 inç Yeşil LED GaN Silikon Gofret 20nmTemas Katmanı

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Suzhou Çin
Marka adı:	GaNova
Sertifika:	UKAS/ISO9001:2015
Model numarası:	JDWY03-002-016

Ödeme & teslimat koşulları:

Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 6 adetlik kasetlerde veya tekli gofret kaplarında vakum paketleme.
Teslim süresi:	3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları:	T/T
Yetenek temini:	10000 adet/ay

İletişim

Boyut 520±10nm 2 inç Yeşil LED GaN Silikon Gofret 20nmTemas Katmanı

Açıklama

Ürün adı:	Silikon üzerinde 2-4 inç Yeşil LED GaN	Boyut:	2 inç, 4 inç
Boyut:	520±10nm	Yüzey Yapısı:	20nmTemas katmanı/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)substratlar
paket:	100. sınıf temiz oda ortamında, 25 ADET konteynerde, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir	Sertifika:	UKAS/ISO9001:2015
Vurgulamak:	Silikon Wafer'de 20nm GaN , 520±10nm GaN Silikon Wafer üzerinde

Silikon gofret üzerinde 2 inç Yeşil LED GaN

genel bakış

Galyum nitrür (GaN), güç elektroniği dünyasında yenilikçi bir değişim yaratıyor.Onlarca yıldır silikon bazlı MOSFET'ler (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistörler), enerjiyi güce dönüştürmeye yardımcı olan günlük modern dünyanın ayrılmaz bir parçası olmuştur.

Üretken çekişmeli ağlar (GAN'lar), gerçek veriler yerine geçebilen yeni, sentetik veri örnekleri oluşturmak için birini diğerine karşı (dolayısıyla "düşman") kullanan iki sinir ağı kullanan algoritmik mimarilerdir.Görüntü oluşturma, video oluşturma ve ses oluşturmada yaygın olarak kullanılırlar.

Silikon üzerinde 2-4 inç Yeşil LED GaN
Öğe Si(111) alt tabakalar		Al(Ga)N tamponu	uGaN	nGaN	MQW(1-3 çift)		AlGaN	pGaN	Temas katmanı
					InGaN-QW	GaN-QB
boyutlar		2 inç, 4 inç
		520±10nm
Kalınlık		800nm	1000nm	3000nm	~3nm	~10nm	35nm	145nm	20nm
Kompozisyon	Al%	/	/	/	/	/	~15	/	/
	İçinde%	/	/	/	~25	/	/	/	/
Doping	[Si]	/	/	8.0E+18	/	2.0E+17	/	/	/
	[Mg]	/	/	/	/	/	1.0E+20	3.0E+19	2.0E+20
Yüzey Yapısı		20nmTemas katmanı/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)substratlar
paket		100. sınıf temiz oda ortamında, 25 ADET konteynerde, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Diğer ürünler

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Ürün adı: Bağımsız GaN Substratları

Kalınlık: 350 ±25µm

Oryantasyon: C düzlemi (0001) M eksenine doğru açı dışı

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ±25µm

yay: - 10µm ≤ BOW ≤ 10µm

Makro Hata Yoğunluğu: 0cm⁻²

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

yay: ≤ 20 mikron

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 325um 375um C Düzlemi

Ürün adı: GaN Tek Kristal Substrat

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ±25µm

Oryantasyon: C düzlemi (0001) M eksenine doğru açı dışı

375 um GaN Epitaksiyel Gofret Dikili U-GaN SI-GaN Substratlar

Ürün adı: 2 inç Bağımsız U-GaN/SI-GaN Substratlar

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ± 25μm

Oryantasyon Düz: (1-100) ± 0,5˚, 16 ± 1 mm

Boyut 520±10nm 2 inç Yeşil LED GaN Silikon Gofret 20nmTemas Katmanı

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Boyut 520±10nm 2 inç Yeşil LED GaN Silikon Gofret 20nmTemas Katmanı

Boyut 520±10nm 2 inç Yeşil LED GaN Silikon Gofret 20nmTemas Katmanı

Silikon Wafer'de 20nm GaN

520±10nm GaN Silikon Wafer üzerinde

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret,

Serbest Daimi GaN Yüzeyler,

Mavi LED GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 325um 375um C Düzlemi

375 um GaN Epitaksiyel Gofret Dikili U-GaN SI-GaN Substratlar

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP