Ana sayfa Ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

En iyi ürünleri

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Çin GaN Epitaksiyel Gofret

Yüksek Voltajlı Yüksek Frekanslı Çip Üretimi için GaN Epitaxial Wafer Esas

Tip::Düz Safir

Polonyalı:Tek tarafı cilalı (SSP) / Çift tarafı cilalı (DSP)

Boyut:50,8±0,2 mm (2 inç)/100±0,2 mm(4 inç)/150 +0,2 mm (6 inç)
625um 675um 4 Inch Blue LED Gallium Nitride GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire

Ürün Adı:4 inç GaN-on-Sapphire Mavi/Yeşil LED Gofret

Türü:Düz Safir

Kalınlığı:650 ± 25μm
GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı

Min sipariş miktarı:1

Ambalaj bilgileri:İç ambalaj: gofretin özel ambalaj kutusu, dış ambalaj: karton kutu ambalajı, dahili şok emici film

Ödeme koşulları:T/T
Tek Kristal Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substrate 4 Inch

Min sipariş miktarı:1

Ambalaj bilgileri:İç ambalaj: gofretin özel ambalaj kutusu, dış ambalaj: karton kutu ambalajı, dahili şok emici film

Ödeme koşulları:T/T
4 Inch Fe Doped GaN Substrate Gallium Nitride

Min sipariş miktarı:1

Ambalaj bilgileri:İç ambalaj: gofretin özel ambalaj kutusu, dış ambalaj: karton kutu ambalajı, dahili şok emici film

Ödeme koşulları:T/T
Silikon Gofret Üzerinde 2 inç Yeşil LED GaN Boyut 520±10nm

Ürün adı:Silikon gofret üzerinde yeşil LED GaN

Boyut:2 inç 4 inç

Yüzey Yapısı:20nmTemas katmanı/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)substratlar
5*10mm2 SP-Face (20-21)/(20-2-1) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci < 0,05 Ω·cm

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (11-12) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Substrat Direnci < 0,1 Ω·cm Güç Cihazı

Boyutlar:5x10mm²

Oryantasyon:(11-22) M eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° (11-22) C eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (11-12) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

Oryantasyon:(11-22) M eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° (11-22) C eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1
5*10mm2 M-Yüz Katkısız SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları Gofret

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

yay:- 10µm ≤ BOW ≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (10-11) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci < 0,05 Ω·cm

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (10-11) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Özdirenci

Boyutlar:5x10mm²

Kalınlık:350 ±25µm

Oryantasyon:(10- 11) A eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° (10- 11) C eksenine doğru düzlem sapma açısı -

Page 5 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Kategorilere göz at：

GaN Epitaksiyel Gofret

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Çin GaN Epitaksiyel Gofret

Yüksek Voltajlı Yüksek Frekanslı Çip Üretimi için GaN Epitaxial Wafer Esas

625um 675um 4 Inch Blue LED Gallium Nitride GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire

GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı

Tek Kristal Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substrate 4 Inch

4 Inch Fe Doped GaN Substrate Gallium Nitride

Silikon Gofret Üzerinde 2 inç Yeşil LED GaN Boyut 520±10nm

5*10mm2 SP-Face (20-21)/(20-2-1) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci < 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face (11-12) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Substrat Direnci < 0,1 Ω·cm Güç Cihazı

5*10mm2 SP-Face (11-12) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci

5*10mm2 M-Yüz Katkısız SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları Gofret

5*10mm2 SP-Face (10-11) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci < 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face (10-11) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Özdirenci

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP