|
Ürün ayrıntıları:
|
| Boyutlar: | 5x10mm² | Kalınlık: | 350 ±25µm |
|---|---|---|---|
| Oryantasyon: | (11-22) M eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° (11-22) C eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1 | TTV: | ≤ 10µm |
| yay: | - 10µm ≤ BOW ≤ 10µm | Dislokasyon Yoğunluğu: | 1 x 10⁵'dan 3 x 10⁶cm⁻²'ye |
| Makro Hata Yoğunluğu: | 0cm⁻² | Kullanılabilir Alan: | > %90 (kenar hariç tutma) |
| Vurgulamak: | 106Ω·Cm GaN Tek Kristal Substrat,10mm2 GaN Tek Kristal Substrat |
||
5*10mm2SP-yüz (11-12) Katkısız SI tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Özdirenç > 106Ω·cm RF cihazları gofreti
genel bakış
GaN yarı iletken cihaz pazarı, Cree, Infineon Technologies, Qorvo, MACOM, NXP Semiconductors, Mitsubishi Electric, Efficient Power Conversion (EPC), GaN Systems, Nichia Corporation ve Epistar Corporation gibi önemli şirketleri içerir.
İnce Epi wafer'lar yaygın olarak öncü MOS cihazları için kullanılır.Cihazlarda ağırlıklı olarak elektrik gücünü kontrol etmek için kalın Epi veya Çok katmanlı epitaksiyel gofretler kullanılır ve enerji tüketiminin verimliliğinin artırılmasına katkıda bulunurlar.
| (11-22) FACe Free-stAndBenNG GAN AltstraTeS | ||||
| Öğe |
GaN-FS-SP-ABD
|
GaN-FS-SP-NS
|
GaN-FS-SP-SI-S |
Notlar: Ön ve arka yüzeyi ayırt etmek için bir dairesel yay açısı (R < 2 mm) kullanılır. |
| boyutlar | 5x10mm2 | |||
| Kalınlık | 350 ±25 mikron | |||
| Oryantasyon |
(11-22) M eksenine doğru düzlem dış açısı 0 ±0,5° (11-22) C eksenine doğru düzlem dış açısı - 1 ±0,2° |
|||
| İletim Türü | N tipi | N tipi | Yarı Yalıtımlı | |
| Özdirenç (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 mikron | |||
| YAY | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
| Ön Yüzey Pürüzlülüğü |
< 0,2 nm (cilalı); veya < 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi) |
|||
| Arka Yüzey Pürüzlülüğü |
0,5 ~1,5 mikron seçenek: 1~3 nm (ince zemin);< 0,2 nm (cilalı) |
|||
| Dislokasyon Yoğunluğu | 1x10'dan53 x 10'a6santimetre-2 | |||
| Makro Hata Yoğunluğu | 0 cm-2 | |||
| Kullanılabilir Alan | > %90 (kenar hariç tutma) | |||
| paket | 100 sınıfı temiz oda ortamında, 6 ADET kapta, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir | |||
Ek: Yanlış kesim açısı diyagramı
δ ise1= 0 ±0,5°, ardından (11-22) M Eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° olur.
δ ise2= - 1 ±0,2°, ardından (11-22) C Eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1 ±0,2°'dir.
Hakkımızda
Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.
SSS
S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.
İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)
Tel: +8613372109561
