Çin GaN Epitaksiyel Gofret

• 

  5*10mm2 SP-Face (20-21)/(20-2-1) Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci < 0,1 Ω·cm

  Boyutlar:5x10mm²

  Kalınlık:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  Şimdi başvurun
• 

  5*10mm2 A-Yüzü Katkısız N-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Substrat Direnci

  Boyutlar:5x10mm²

  Kalınlık:350 ±25 mikron

  Oryantasyon:Bir düzlem (11-20) M eksenine doğru sapma açısı 0 ±0,5° Bir düzlem (11-20) C eksenine sapma açısı -

  Şimdi başvurun
• 

  10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Yüzeyler - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

  Ürün adı:GaN Epitaksiyel Gofret

  Boyutlar:10 x 10,5 mm²

  Kalınlık:350 ±25µm

  Şimdi başvurun
• 

  10*10.5mm2 C-Yüzü Fe-Katkılı SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları Gofret

  Boyutlar:10 x 10,5 mm²

  Kalınlık:350 ±25µm

  TTV:≤ 10 mikron

  Şimdi başvurun
• 

  10 X 10,5 mm2 C-Yüzü Katkısız N-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat

  Ürün adı:GaN Tek Kristal Substrat

  Boyutlar:10 x 10,5 mm²

  Kalınlık:350 ±25µm

  Şimdi başvurun