Mesaj gönder
Ana sayfa ÜrünlerGaN Epitaksiyel Gofret

GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı

Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı

GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı
GaN 2 Inch Gallium Nitride Single Crystal Substrate
GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı

Büyük resim :  GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Çin
Marka adı: Ganova
Model numarası: JDCD01-001-019
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: 1
Ambalaj bilgileri: İç ambalaj: gofretin özel ambalaj kutusu, dış ambalaj: karton kutu ambalajı, dahili şok emici film
Ödeme koşulları: T/T
Yetenek temini: 1000/adet/ay

GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı

Açıklama
Vurgulamak:

GaN Galiyum Nitrür Tek Kristal Altüstü

,

2 inçlik Gallium Nitride Tek Kristal Substrat

 

Dövizlenmemiş bağımsız GaN substratı

 

1, Gallium Nitride Tek Kristal Substratı Genel Görünümü(GaN substratı)

Galiyum nitrit tek kristal substrat (GaN substratı), galiyum nitrit (GaN) kristallerinin hazırlanma işleminde gerekli olan önemli bir bileşendir.ve galiyum nitrit kristallerinin yetiştiği substrat.Galiyum nitrit (GaN) kristallerinin LED'ler, yüksek hızlı elektronik cihazlar ve güç elektronik cihazları da dahil olmak üzere çok çeşitli uygulama senaryoları vardır.Galiyum nitrit tek kristal substratının kalitesi ((GaN substratı) kristalin performansına ve verimine çok önemli bir etkiye sahiptir..

 


2Ürün özellikleri

 

 

2 inçlik U-GaN/SI-GaN alt katmanlar
GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı 0

 

Mükemmel seviye (S)

 

Üretim seviyesi ((A)

Araştırma

Seviye (B)

Aptal.

seviye (C)

 

 

GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı 1

 

 

 

 

Not:

(1) Kullanılabilir alan: kenar ve makro kusurlar hariç

(2) 3 puan: pozisyonların yanlış kesim açıları (2, 4, 5) 0,35 ± 0.15o

S-1 S-2 A-1 A-2
Boyutları 50.8 ± 1 mm
Kalınlığı 350 ± 25 μm
Düz yönlendirme (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm
Sekonder yönelim düzlüğü (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm
Direnç (300K)

N tipi için < 0,5 Ω·cm (Undoped; GaN-FS-C-U-C50)

veya > 1 x 106Yarı yalıtım için Ω·cm (Fe-doped; GaN-FS-C-SI-C50)

TTV GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı 2≤ 15 μm
BÖK ≤ 20 μm ≤ 40 μm
Ga yüz yüzeyinin kabalığı

< 0.2 nm (pürüzsüz)

veya < 0,3 nm (epitaksi için cilalanmış ve yüzey işlemi)

N yüz yüzeyinin kabalığı

0.5 ~ 1.5 μm

Seçenek: 1 ~ 3 nm ( ince toprak); < 0,2 nm (pürüzlü)

Paket Temiz bir odada, tek bir wafer kapında paketlenmiş.
Kullanılabilir alan > 90% >80% >70%
Yer değiştirme yoğunluğu <9.9x105cm-2 <3x106cm-2 <9.9x105cm-2 <3x106cm-2 <3x106cm-2
Yönlendirme:C düzlemi (0001) M eksenine doğru açıdan uzak

0.35 ± 0.15o

(3 puan)

0.35 ± 0.15o

(3 puan)

0.35 ± 0.15o

(3 puan)

Makro kusur yoğunluğu (çukur) 0 cm-2 < 0,3 cm-2 < 1 cm-2
Makro kusurların maksimum boyutu GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı 3 < 700 μm < 2000 μm < 4000 μm
 
 

 

Bizim Hakkımızda

Çeşitli malzemeleri waferlere, substratlara ve elektronik, optik, optoelektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan özelleştirilmiş optik cam parçalarına dönüştürmede uzmanlaştık.Ayrıca birçok yerli ve yurtdışındaki üniversite ile de yakın işbirliği yapıyoruz., araştırma kurumları ve şirketleri, araştırma ve geliştirme projeleri için özelleştirilmiş ürünler ve hizmetler sunar.Bizim vizyonumuz, müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisini sürdürmek..

 

GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı 4GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı 5

 

Sık Sorulan Sorular

S: Ticaret şirketi misiniz yoksa üretici misiniz?
Biz fabrika.
S: Teslimat süreniz ne kadar?
Genellikle mallar stokta ise 3-5 gün sürer.
Ya da mal stokta değilse 7-10 gün, miktarına göre.
S: Örnekleri sağlıyor musunuz? Ücretsiz mi, ekstra mı?
Evet, örneği ücretsiz olarak sunabiliriz, ancak nakliye masrafını ödemeyiz.
Ödeme şartlarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 önceden.
Ödeme >=5000USD, %80 T/T önceden, nakliye öncesi bakiye.

 

 

Taşıyıcı

 

GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı 6GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı 7GaN 2 Inch Gallium Nitride Tek Kristal Altyapı 8

 

 

İletişim bilgileri
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)