|
Ürün ayrıntıları:
|
| Ürün adı: | 4 inç Si katkılı GaN/Safir Yüzeyler | Kalınlık/Kalınlık STD: | 4,5 ± 0,5μm / < %3 |
|---|---|---|---|
| Oryantasyon: | C düzlemi (0001) A eksenine doğru açı dışı 0,2 ± 0,1 ° | Boyutlar: | 100 ± 0,2 mm |
| GaN Yönlendirme Düz: | (1-100) 0 ± 0,2 °, 30 ±1 mm | İletim Tipi: | N tipi |
| Vurgulamak: | Sapphire GaN Epitaxial Wafer,PIN GaN Epitaxial Wafer,4 inçlik gan epitaksyal levha. |
||
Safir gofret üzerinde 4 inç N tipi Si katkılı GaN SSP direnci＜0,05 Ω cm LED, lazer, PIN epitaksiyel gofret
Hafif Si katkılı GaN için ([Si] = 2,1 × 1016santimetre-3), oda sıcaklığında (RT) elektron hareketliliği 1008 cm-1 kadar yüksekti2V-1S-1baskın olarak polar optik fonon saçılması ile sınırlıydı.Ayrıca, PSD kullanılarak hazırlanan ağır Si-katkılı GaN'nin 110 cm kadar yüksek bir RT hareketliliği sergilediğini bulduk.2V-1S-12 × 10 elektron konsantrasyonunda20santimetre-3Bu, bu filmin özdirencinin, indiyum kalay oksit gibi tipik şeffaf iletken oksitlerinki kadar küçük olduğunu gösterdi.
Daha düşük sıcaklıklarda, elektron hareketliliği 1920 cm-1'e yükseldi.2V-1S-1136 K'de ve sıcaklığa bağımlılık, geleneksel saçılma modelleriyle iyi bir şekilde açıklandı.Bu sonuçlar, PSD kullanılarak hazırlanan Si katkılı GaN'nin yalnızca GaN tabanlı güç cihazlarının üretimi için değil, aynı zamanda nitrür bazlı optik cihazlar için epitaksiyel şeffaf elektrot malzemeleri olarak kullanılması için de umut verici olduğunu göstermektedir.
| 4 inç Si katkılı GaN/Safir Yüzeyler | ||
| Öğe | GaN-TCN-C100 |
|
| boyutlar | 100 ± 0,2 mm | |
| Kalınlık/Kalınlık STD | 4,5 ± 0,5 μm / < %3 | |
| Oryantasyon | C düzlemi (0001) A eksenine doğru açı dışı 0,2 ± 0,1 ° | |
| GaN Yönlendirme Düz | (1-100) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm | |
| İletim Türü | N tipi | |
| Özdirenç (300K) | < 0,05 Ω·cm | |
| Taşıyıcı Konsantrasyon | > 1x1018santimetre-3( ≈ doping konsantrasyonu) | |
| Hareketlilik | > 200 santimetre2/Vs | |
| *XRD FWHM'ler | (0002) < 300 yay saniye,(10-12) < 400 yay saniye | |
| Yapı | ~ 2μm nGaN /~ 2.5μm uGaN /~ 25 nm uGaN tampon/650 ± 25 μm safir | |
| Safir Oryantasyonu | C düzlemi (0001) M eksenine doğru açı dışı 0,2 ± 0,1 ° | |
| Sapphire Oryantasyon Daire | (11-20) 0 ± 0,2 °, 30 ± 1 mm | |
| safir cila | Tek tarafı cilalı (SSP) / Çift tarafı cilalı (DSP) | |
| Kullanılabilir Alan | > %90 (kenar ve makro kusurları hariç tutma) | |
| paket |
Bir temiz odada kaplarda paketlenmiş: tek gofret kutusu (< 3 ADET) veya kaset (≥ 3 ADET) |
|
Hakkımızda
Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.
SSS
S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.
İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)
Tel: +8613372109561
