Mesaj gönder
Ana sayfa ÜrünlerGaN Epitaksiyel Gofret

Kalınlık 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar

Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

Kalınlık 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar

Kalınlık 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar
Kalınlık 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar

Büyük resim :  Kalınlık 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Suzhou Çin
Marka adı: GaNova
Sertifika: UKAS/ISO9001:2015
Model numarası: JDCD01-001-001
Ödeme & teslimat koşulları:
Ambalaj bilgileri: 10000 sınıfı temiz oda ortamında, 6 adetlik kasetlerde veya tekli gofret kaplarında vakum paketleme.
Teslim süresi: 3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları: T/T
Yetenek temini: 10000 adet/ay

Kalınlık 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar

Açıklama
Ürün adı: Bağımsız GaN Substratları Boyutlar: 10 x 10,5 mm²
Kalınlık: 350 ±25µm TTV: ≤ 10µm
yay: - 10µm ≤ BOW ≤ 10µm Kullanılabilir Alan: > %90 (kenar hariç tutma)
Vurgulamak:

350 ± 25 μm GaN Substratları

,

10 X 10

10*10,5mm² C-yüz Katkısız n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Direnç < 0,1 Ω·cm Güç cihazı/lazer

 


genel bakış

GaN Substratları

Yüksek kaliteli (düşük dislokasyon yoğunluğu) ve piyasadaki en iyi fiyatlara sahip GaN (galyum nitrür) substratlar ve gofretler.

Düşük dislokasyon yoğunluğuna sahip üstün kaliteli serbest duran GaN kristal substratlar (105 /cm mertebesinde)2) ve periyodik kusurlar olmadan düzgün yüzey.Bu yüksek kaliteli galyum nitrür kristallerinin kullanım alanı %90'ın üzerindedir.Seçenekler şunları içerir: N tipi, P tipi, Yarı yalıtımlı, C düzlemi, M düzlemi, A düzlemi.2 inç çapa kadar boyutlar.

Doğrudan fabrikadan satış yapıyoruz ve bu nedenle yüksek kaliteli GaN kristal alt tabakalar için piyasadaki en iyi fiyatları sunabiliyoruz.

 

10 x 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar
Öğe GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

Kalınlık 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar 0

Notlar:
Ga ve N yüzünü ayırt etmek için bir dairesel yay açısı (R < 2 mm) kullanılır.

boyutlar 10 x 10,5 mm2
Kalınlık 350 ±25 mikron
Oryantasyon C düzlemi (0001) M eksenine doğru kapalı açı 0,35 ±0,15°
İletim Türü N tipi N tipi Yarı Yalıtımlı
Özdirenç(300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 mikron
Yay - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Ga Yüzü Yüzey Pürüzlülüğü < 0,2 nm (cilalı)
veya < 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi)
N Yüz Yüzey Pürüzlülüğü 0,5 ~1,5 mikron
seçenek: 1~3 nm (ince zemin);< 0,2 nm (cilalı)
Dislokasyon Yoğunluğu 1 x 105'ten 3 x 106 cm-2'ye (CL ile hesaplanmıştır)*
Makro Hata Yoğunluğu 0 cm-2
Kullanılabilir Alan > %90 (kenar hariç tutma)
paket 100 sınıfı temiz oda ortamında, 6 ADET kapta, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir

*Çin'in ulusal standartları (GB/T32282-2015)

 

 

Kalınlık 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Bağımsız GaN Substratlar 1

 

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

 

 

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

İletişim bilgileri
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)