|
Ürün ayrıntıları:
|
| Ürün adı: | Bağımsız GaN Substratları | Kalınlık: | 350 ±25µm |
|---|---|---|---|
| TTV: | ≤ 10µm | yay: | - 10µm ≤ BOW ≤ 10µm |
| Dislokasyon Yoğunluğu: | 1 x 10⁵'dan 3 x 10⁶cm⁻²'ye | Makro Hata Yoğunluğu: | 0cm⁻² |
| Vurgulamak: | SP Yüz Galyum Nitrür Yüzey,galyum nitrür gofret 350um,5 x 10 |
||
5x10mm2Bağımsız GaN Substratları 350 ±25 µm 1 x 10'dan53 x 10'a6santimetre-2
5*10mm2SP-yüz (20-21)/(20-2-1) Katkısız SI tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Özdirenç > 106Ω·cm RF cihazları gofreti
genel bakış
GaN - Silisyum Karbür (SiC), Silisyum (Si) ve Elmas ile kullanılan üç ana alt tabaka vardır.SiC üzerinde GaN, üçü arasında en yaygın olanıdır ve Askeriyede ve Yüksek Güçlü Kablosuz Altyapı Uygulamalarında çeşitli uygulamalarda kullanılmıştır.GaN on Si, performansı SiC kadar iyi olmayan ancak daha ekonomik olan daha yeni bir alt tabakadır.Diamond on GaN en iyi performans gösterendir, ancak yeni ve nispeten pahalı olduğu için bunun kullanıldığı uygulamalar sınırlıdır.Aşağıdaki tabloda üç GaN Substratını da karşılaştırdık.
| (20-21)/(20-2-1) FAce Free-stAndBenNG GAN AltstraTeS | ||||
| Öğe |
GaN-FS-SP-ABD |
GaN-FS-SP-NS |
GaN-FS-SP-SI-S |
Notlar: Ön ve arka yüzeyi ayırt etmek için bir dairesel yay açısı (R < 2 mm) kullanılır. |
| boyutlar | 5x10mm2 | |||
| Kalınlık | 350 ±25 mikron | |||
| Oryantasyon |
(20-21)/(20-2- 1) A eksenine doğru düzlem dış açısı 0 ±0,5° (20-21)/(20-2- 1) C eksenine doğru düzlem dış açısı - 1 ±0,2° |
|||
| İletim Türü | N tipi | N tipi | Yarı Yalıtımlı | |
| Özdirenç (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 mikron | |||
| YAY | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
| Ön Yüzey Pürüzlülüğü |
< 0,2 nm (parlatılmış) veya < 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi) |
|||
| Arka Yüzey Pürüzlülüğü |
0,5 ~1,5 mikron seçenek: 1~3 nm (ince zemin);< 0,2 nm (cilalı) |
|||
| Dislokasyon Yoğunluğu | 1x10'dan53 x 10'a6santimetre-2 | |||
| Makro Hata Yoğunluğu | 0 cm-2 | |||
| Kullanılabilir Alan | > %90 (kenar hariç tutma) | |||
| paket | 100 sınıfı temiz oda ortamında, 6 ADET kapta, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir | |||
Ek: Yanlış kesim açısı diyagramı
δ ise1= 0 ±0,5°, ardından A Eksenine doğru (20-21)/(20-2- 1) düzlem sapma açısı 0 ±0,5° olur.
δ ise2= - 1 ±0,2°, ardından (20-21)/(20-2- 1) C Eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1 ±0,2°'dir.
Hakkımızda
Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.
SSS
S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.
İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)
Tel: +8613372109561
