Ana sayfa Ürünler Sic Epitaksiyel Gofret

SiC N Tipi Yüzey

Name: SiC N Tipi Yüzey
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

En iyi ürünleri

SiC N Tipi Yüzey

Büyük resim : SiC N Tipi Yüzey

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Suzhou Çin
Marka adı:	GaNova
Sertifika:	UKAS/ISO9001:2015

Ödeme & teslimat koşulları:

Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 25 adetlik kasetlerde veya tek gofret kaplarında vakumlu paketleme
Teslim süresi:	3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları:	T/T

İletişim

SiC N Tipi Yüzey

Açıklama

Kristal Formu:	4 saat	Yüzey Metal Kirlenmesi:	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm⁻²
Ürün adı:	6 inç 4H-SiC alt tabaka N-Tipi	Çap:	150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Yüzey Yönü:	Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru	Birincil Düz Uzunluk:	47,5 mm ±1,5 mm
Vurgulamak:	Sic Epitaksiyel N Tipi alt tabaka , 6 inç gofret 150 , 0 mm

6 inç 4H-SiC Substrat N-Tipi P-SBD Sınıfı 350,0±25,0μm MPD≤0,5/cm²Direnç 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm Güç ve Mikrodalga İçin

6 inç 4H-SiC alt tabaka N-Tipi

genel bakış

Şu anda silisyum karbür (SiC), yüksek güçlü MMIC uygulamaları için yaygın olarak kullanılmaktadır.SiC ayrıca daha yüksek güçlü MMIC cihazları için GaN'nin epitaksiyel büyümesi için bir substrat olarak kullanılır.Yüksek Sıcaklık Cihazları.SiC, yüksek bir termal iletkenliğe sahip olduğundan, ısıyı diğer yarı iletken malzemelere göre daha hızlı dağıtır.

Mülk	P-MOS Sınıfı	P-SBD Derecesi	D Sınıfı
Kristal Formu	4 saat
politip	İzin Verilmez		Alan≤5%
(MPD)^A	≤0,2 /cm²	≤0,5 /cm²	≤5 /cm²
Altıgen Plakalar	İzin Verilmez		Alan≤5%
Altıgen Polikristal	İzin Verilmez
Dahil olanlar^A	Alan≤0,05%	Alan≤0,05%	Yok
Direnç	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,014Ω•cm—0,028Ω•cm
(EPD)^A	≤4000/cm²	≤8000/cm²	Yok
(TED)^A	≤3000/cm²	≤6000/cm²	Yok
(BPD)^A	≤1000/cm²	≤2000/cm²	Yok
(TSD)^A	≤600/cm²	≤1000/cm²	Yok
Yığın Hatası	≤0,5% Alan	≤1% Alan	Yok
Yüzey Metal Kirlenmesi	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm^-2
Çap	150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Yüzey Yönü	Eksen Dışı:4°<11-20>±0,5°'ye doğru
Birincil Düz Uzunluk	47,5 mm ± 1,5 mm
İkincil Düz Uzunluk	İkinci Daire Yok
Birincil Düz Yönlendirme	<11-20>±1°'ye paralel
İkincil Düz Yönlendirme	Yok
Ortogonal Yanlış Yönlendirme	±5.0°
Yüzey	C-Face:Optik Cila,Si-Face:CMP
Gofret Kenarı	pah kırma
Yüzey Pürüzlülüğü (10μm×10μm)	Si Yüzü Ra≤0,20 nm ； C Yüzü Ra≤0,50 nm
Kalınlık^A	350,0μm± 25,0 μm
LTV(10mm×10mm)^A	≤2μm		≤3μm
(TTV)^A	≤6μm		≤10μm
(YAY)^A	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Çözgü)^A	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Cipsler/Girintiler	İzin Verilmez ≥0,5 mm Genişlik ve Derinlik		Miktar 2 ≤1,0 mm Genişlik ve Derinlik
çizikler^A (Si Yüz, CS8520)	≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤0,5 × Gofret Çapı		≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤1,5 × Gofret Çap
TUA(2mm*2mm)	≥98%	≥95%	Yok
Çatlaklar	İzin Verilmez
Bulaşma	İzin Verilmez
Mülk	P-MOS Sınıfı	P-SBD Derecesi	D Sınıfı
Kenar Hariç Tutma	3mm

Not: ile işaretlenen öğeler için 3mm kenar hariç tutma kullanılır.^A.

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

SiC N Tipi Yüzey

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

350um 4H SiC substrat

SiC N Tipi Yüzey

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret

SiC N Tipi Yüzey

SiC N Tipi Yüzey

Sic Epitaksiyel N Tipi alt tabaka

6 inç gofret 150

0 mm

Silisyum Karbür Epitaksiyel Gofretler,

N Tipi Sic Epitaksiyel Gofret,

Sic Epitaksiyel Gofret C Yüzü

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP