|
Ürün ayrıntıları:
|
| Boyutlar: | 5x10mm² | Kalınlık: | 350 ±25µm |
|---|---|---|---|
| Oryantasyon: | (11-22) M eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° (11-22) C eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1 | TTV: | ≤ 10 mikron |
| yay: | - 10µm ≤ BOW ≤ 10µm | Makro Hata Yoğunluğu: | 0cm⁻² |
| Kullanılabilir Alan: | > %90 (kenar hariç tutma) | Ürün adı: | (11-22) Serbest duran GaN Substratları ile yüzleşir |
5*10mm2SP-yüz (11-12) Katkısız n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Özdirenç < 0,05 Ω·cm Güç cihazı/lazer gofreti
genel bakış
GaN transistörler, silikon transistörlere göre daha hızlı devreye girebildikleri için bu geçişten kaynaklanan kayıpları azaltabilmektedirler.GaN'nin anahtarlama kaybını azaltmasının bir başka yolu da vücut diyodunun olmamasıdır.
GaN'nin önemi, geleneksel silikon teknolojileriyle karşılaştırıldığında bu performansı sağlamak için gereken enerjiyi ve fiziksel alanı azaltırken, geniş bir uygulama yelpazesinde önemli ölçüde iyileştirilmiş performans sunma yeteneği nedeniyle artıyor.
| (11-22) FACe Free-stAndBenNG GAN AltstraTeS | ||||
| Öğe |
GaN-FS-SP-ABD
|
GaN-FS-SP-NS
|
GaN-FS-SP-SI-S |
Notlar: Ön ve arka yüzeyi ayırt etmek için bir dairesel yay açısı (R < 2 mm) kullanılır. |
| boyutlar | 5x10mm2 | |||
| Kalınlık | 350 ±25 mikron | |||
| Oryantasyon |
(11-22) M eksenine doğru düzlem dış açısı 0 ±0,5° (11-22) C eksenine doğru düzlem dış açısı - 1 ±0,2° |
|||
| İletim Türü | N tipi | N tipi | Yarı Yalıtımlı | |
| Özdirenç (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 mikron | |||
| YAY | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
| Ön Yüzey Pürüzlülüğü |
< 0,2 nm (cilalı); veya < 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi) |
|||
| Arka Yüzey Pürüzlülüğü |
0,5 ~1,5 mikron seçenek: 1~3 nm (ince zemin);< 0,2 nm (cilalı) |
|||
| Dislokasyon Yoğunluğu | 1x10'dan53 x 10'a6cm-2 | |||
| Makro Hata Yoğunluğu | 0 cm-2 | |||
| Kullanılabilir Alan | > %90 (kenar hariç tutma) | |||
| paket | 100 sınıfı temiz oda ortamında, 6 ADET kapta, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir | |||
Ek: Yanlış kesim açısı diyagramı
δ ise1= 0 ±0,5°, ardından (11-22) M Eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° olur.
δ ise2= - 1 ±0,2°, ardından (11-22) C Eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1 ±0,2°'dir.
Hakkımızda
Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.
SSS
S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.
İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)
Tel: +8613372109561
