Ana sayfa Ürünler GaN Epitaksiyel Gofret

SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2

Name: SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-014
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

En iyi ürünleri

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Sertifika

Ben sohbet şimdi

SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2

Büyük resim : SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Suzhou Çin
Marka adı:	GaNova
Sertifika:	UKAS/ISO9001:2015
Model numarası:	JDCD01-001-014

Ödeme & teslimat koşulları:

Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 6 adetlik kasetlerde veya tekli gofret kaplarında vakum paketleme.
Teslim süresi:	3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları:	T/T
Yetenek temini:	10000 adet/ay

İletişim

SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2

Açıklama

Boyutlar:	5x10mm²	Kalınlık:	350 ±25µm
Oryantasyon:	(11-22) M eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° (11-22) C eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1	TTV:	≤ 10 mikron
yay:	- 10µm ≤ BOW ≤ 10µm	Makro Hata Yoğunluğu:	0cm⁻²
Kullanılabilir Alan:	> %90 (kenar hariç tutma)	Ürün adı:	(11-22) Serbest duran GaN Substratları ile yüzleşir
Vurgulamak:	0.05 Ω·cm GaN Tek Kristal Substrat , Dövizlenmemiş GaN Tek Kristal Substratı

5*10mm²SP-yüz (11-12) Katkısız n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Özdirenç < 0,05 Ω·cm Güç cihazı/lazer gofreti

genel bakış
GaN transistörler, silikon transistörlere göre daha hızlı devreye girebildikleri için bu geçişten kaynaklanan kayıpları azaltabilmektedirler.GaN'nin anahtarlama kaybını azaltmasının bir başka yolu da vücut diyodunun olmamasıdır.

GaN'nin önemi, geleneksel silikon teknolojileriyle karşılaştırıldığında bu performansı sağlamak için gereken enerjiyi ve fiziksel alanı azaltırken, geniş bir uygulama yelpazesinde önemli ölçüde iyileştirilmiş performans sunma yeteneği nedeniyle artıyor.

(11-22) FACe Free-stAndBenNG GAN AltstraTeS
Öğe	GaN-FS-SP-ABD	GaN-FS-SP-NS	GaN-FS-SP-SI-S	Notlar: Ön ve arka yüzeyi ayırt etmek için bir dairesel yay açısı (R < 2 mm) kullanılır.
boyutlar	5x10mm²
Kalınlık	350 ±25 mikron
Oryantasyon	(11-22) M eksenine doğru düzlem dış açısı 0 ±0,5° (11-22) C eksenine doğru düzlem dış açısı - 1 ±0,2°
İletim Türü	N tipi	N tipi	Yarı Yalıtımlı
Özdirenç (300K)	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 10⁶Ω·cm
TTV	≤ 10 mikron
YAY	- 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Ön Yüzey Pürüzlülüğü	< 0,2 nm (cilalı); veya < 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi)
Arka Yüzey Pürüzlülüğü	0,5 ~1,5 mikron seçenek: 1~3 nm (ince zemin);< 0,2 nm (cilalı)
Dislokasyon Yoğunluğu	1x10'dan⁵3 x 10'a⁶cm-2
Makro Hata Yoğunluğu	0 cm^-2
Kullanılabilir Alan	> %90 (kenar hariç tutma)
paket	100 sınıfı temiz oda ortamında, 6 ADET kapta, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir

Ek: Yanlış kesim açısı diyagramı

SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2 1

δ ise₁= 0 ±0,5°, ardından (11-22) M Eksenine doğru düzlem sapma açısı 0 ±0,5° olur.

δ ise₂= - 1 ±0,2°, ardından (11-22) C Eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1 ±0,2°'dir.

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Diğer ürünler

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Ürün adı: Bağımsız GaN Substratları

Kalınlık: 350 ±25µm

Oryantasyon: C düzlemi (0001) M eksenine doğru açı dışı

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ±25µm

yay: - 10µm ≤ BOW ≤ 10µm

Makro Hata Yoğunluğu: 0cm⁻²

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

yay: ≤ 20 mikron

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 325um 375um C Düzlemi

Ürün adı: GaN Tek Kristal Substrat

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ±25µm

Oryantasyon: C düzlemi (0001) M eksenine doğru açı dışı

375 um GaN Epitaksiyel Gofret Dikili U-GaN SI-GaN Substratlar

Ürün adı: 2 inç Bağımsız U-GaN/SI-GaN Substratlar

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ± 25μm

Oryantasyon Düz: (1-100) ± 0,5˚, 16 ± 1 mm

SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2

SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2

0.05 Ω·cm GaN Tek Kristal Substrat

Dövizlenmemiş GaN Tek Kristal Substratı

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret,

Serbest Daimi GaN Yüzeyler,

Mavi LED GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 325um 375um C Düzlemi

375 um GaN Epitaksiyel Gofret Dikili U-GaN SI-GaN Substratlar

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP