350 ± 25μm Kalınlığı TTV ≤ 10μm ve direnç 0.1 Ω·cm'li dopanmamış N tipi serbest duran GaN tek kristal substratı

5*10mm²SP-yüz (20-21)/(20-2-1) Katkısız n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Özdirenç < 0,1 Ω·cm Güç cihazı/lazer wafer

genel bakış
Galyum Nitrür (GaN) substrat, yüksek kaliteli tek kristalli bir substrattır.Özgün HVPE yöntemi ve orijinal olarak uzun yıllardır geliştirilen gofret işleme teknolojisi ile yapılmaktadır.Özellikleri, yüksek kristal, iyi tekdüzelik ve üstün yüzey kalitesidir.

GaN'nin önemi, geleneksel silikon teknolojileriyle karşılaştırıldığında bu performansı sağlamak için gereken enerjiyi ve fiziksel alanı azaltırken, geniş bir uygulama yelpazesinde önemli ölçüde iyileştirilmiş performans sunma yeteneği nedeniyle artıyor.

Ek: Yanlış kesim açısı diyagramı

δ ise₁= 0 ±0,5°, ardından A Eksenine doğru (20-21)/(20-2- 1) düzlem sapma açısı 0 ±0,5° olur.

δ ise₂= - 1 ±0,2°, ardından (20-21)/(20-2- 1) C Eksenine doğru düzlem sapma açısı - 1 ±0,2°'dir.

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.