Ana sayfa Ürünler GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Name: C Yüzü GaN Yüzeyi
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-020
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

En iyi ürünleri

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Büyük resim : C Yüzü GaN Yüzeyi

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Suzhou Çin
Marka adı:	GaNova
Sertifika:	UKAS/ISO9001:2015
Model numarası:	JDCD01-001-020

Ödeme & teslimat koşulları:

Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 6 adetlik kasetlerde veya tekli gofret kaplarında vakum paketleme.
Teslim süresi:	3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları:	T/T
Yetenek temini:	10000 adet/ay

İletişim

C Yüzü GaN Yüzeyi

Açıklama

Ürün adı:	2 inç Bağımsız N-GaN Substratlar	Boyutlar:	50,0 ±0,3 mm
Kalınlık:	400 ± 30μm	Oryantasyon Düz:	(1- 100) ±0.1˚, 12.5 ± 1mm
TTV:	≤ 10µm	yay:	≤ 20μm
Vurgulamak:	C Yüzü GaN Substrate , GaN yarı iletken substrat , Si Katkılı GaN Substrat

2 inç C-yüz Si-katkılı n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Direnç < 0,05 Ω·cm Güç cihazı/lazer levha

genel bakış
GaN, yüksek arıza voltajı, yüksek doygunluk hızı ve yüksek termal kararlılık dahil olmak üzere güç cihazlarında kullanım için mükemmel malzeme özelliklerine sahiptir.Toplu GaN büyüme teknolojisindeki son gelişmeler, Schottky bariyer diyotları, p-n bağlantı diyotları ve trench metal-oksit-yarı iletken alan etkili transistörler gibi dikey güç cihazlarının geliştirilmesini kolaylaştırdı.

2 inç Bağımsız N-GaN Substratlar
	Üretim seviyesi(P)			ReSkulakH(R)	Kukla(D)	Not: (1) 5 puan: 5 konumun yanlış kesim açıları 0,55 ±0,15'tir^Ö (2) 3 nokta: konumların yanlış kesim açıları (2, 4, 5) 0,55 ±0,15'tir^Ö (3) Kullanılabilir alan: çevre ve makro kusurların (delikler) hariç tutulması
	P+	P	P-
Öğe	GaN-FS-CN-C50-SSP
boyutlar	50,0 ±0,3 mm
Kalınlık	400 ± 30 mikron
Oryantasyon düz	(1- 100) ±0,1^Ö_,12,5 ± 1 mm
TTV	≤ 15 mikron
YAY	≤ 20 mikron
Özdirenç (300K)	N tipi (Si katkılı) için ≤ 0,02 Ω·cm
Ga yüz yüzey pürüzlülüğü	≤ 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi)
N yüz yüzey pürüzlülüğü	0,5 ~1,5 μm (tek tarafı cilalı)
C düzlemi (0001) M eksenine doğru kapalı açı (yanlış kesim açıları)	0,55 ± 0,1^Ö (5 puan)	0,55± 0,15^Ö (5 puan)		0,55 ± 0,15^Ö (3 puan)
Diş açma dislokasyon yoğunluğu	≤ 7,5x10⁵santimetre^-2	≤ 3x10⁶santimetre^-2
Merkezde Ф47 mm cinsinden deliklerin sayısı ve maksimum boyutu	0		≤ 3@1000 mikron	≤ 12@1500 mikron	≤ 20@3000 μm
Kullanılabilir alan	> %90			>%80	>%70
paket	Temiz bir odada tek gofret kabında paketlenmiştir

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

C Yüzü GaN Yüzeyi

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

C Yüzü GaN Yüzeyi

C Yüzü GaN Yüzeyi

C Yüzü GaN Substrate

GaN yarı iletken substrat

Si Katkılı GaN Substrat

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret,

Serbest Daimi GaN Yüzeyler,

Mavi LED GaN Epitaksiyel Gofret

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP