Ana sayfa Ürünler GaN Epitaksiyel Gofret

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

Name: Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

En iyi ürünleri

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

Büyük resim : Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Suzhou Çin
Marka adı:	GaNova
Sertifika:	UKAS/ISO9001:2015

Ödeme & teslimat koşulları:

Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 6 adetlik kasetlerde veya tekli gofret kaplarında vakum paketleme.
Teslim süresi:	3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları:	T/T
Yetenek temini:	10000 adet/ay

İletişim

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

Açıklama

Boyutlar:	10 x 10,5 mm²	Kalınlık:	350 ±25µm
Ürün adı:	GaN Tek Kristal Substrat	yay:	- 10µm ≤ BOW ≤ 10µm
Makro Hata Yoğunluğu:	0cm⁻²	Kullanılabilir Alan:	> %90 (kenar hariç tutma)
Vurgulamak:	Un Katkılı GaN Epitaksiyel Gofret , tek kristal n tipi gofret , 10 x 10.5 mm2 GaN Epitaksiyel Gofret

10*10,5mm² C-yüz Katkısız n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Direnç < 0,1 Ω·cm Güç cihazı/lazer

genel bakış
Galyum Nitrür (GaN) substrat, yüksek kaliteli tek kristalli bir substrattır.Özgün HVPE yöntemi ve orijinal olarak uzun yıllardır geliştirilen gofret işleme teknolojisi ile yapılmaktadır.Özellikleri, yüksek kristal, iyi tekdüzelik ve üstün yüzey kalitesidir.GaN substratları, LD uygulamaları (mor, mavi ve yeşil) için kullanılır.
Ayrıca, güç ve yüksek frekanslı elektronik cihaz uygulaması için geliştirmeler ilerlemiştir.

10 x 10,5 mm²Bağımsız GaN Substratları
Öğe	GaN-FS-CU-S10	GaN-FS-CN-S10	GaN-FS-C-SI-S10	Notlar: Ga ve N yüzünü ayırt etmek için bir dairesel yay açısı (R < 2 mm) kullanılır.
boyutlar	10 x 10,5 mm²
Kalınlık	350 ±25 mikron
Oryantasyon	C düzlemi (0001) M eksenine doğru kapalı açı 0,35 ±0,15°
İletim Türü	N tipi	N tipi	Yarı Yalıtımlı
Özdirenç(300K)	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 10⁶Ω·cm
TTV	≤ 10 mikron
Yay	- 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Ga Yüzü Yüzey Pürüzlülüğü	< 0,2 nm (cilalı) veya < 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi)


N Yüz Yüzey Pürüzlülüğü	0,5 ~1,5 mikron seçenek: 1~3 nm (ince zemin);< 0,2 nm (cilalı)


Dislokasyon Yoğunluğu	1x10'dan⁵3 x 10'a⁶santimetre^-2(CL tarafından hesaplanmıştır)*
Makro Hata Yoğunluğu	0 cm^-2
Kullanılabilir Alan	> %90 (kenar hariç tutma)
paket	100 sınıfı temiz oda ortamında, 6 ADET kapta, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir

*Çin'in ulusal standartları (GB/T32282-2015)

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret 1

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

Un Katkılı GaN Epitaksiyel Gofret

tek kristal n tipi gofret

10 x 10.5 mm2 GaN Epitaksiyel Gofret

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret,

Serbest Daimi GaN Yüzeyler,

Mavi LED GaN Epitaksiyel Gofret

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP