Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

Name: Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD10-001-002
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

Sertifika

Ben sohbet şimdi

Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

Büyük resim : Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Suzhou Çin
Marka adı:	GaNova
Sertifika:	UKAS/ISO9001:2015
Model numarası:	JDCD10-001-002

Ödeme & teslimat koşulları:

Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 25 adetlik kasetlerde veya tek gofret kaplarında vakumlu paketleme
Teslim süresi:	3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları:	T/T
Yetenek temini:	10000 adet/ay

İletişim

Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

Açıklama

Ürün adı:	GaAs (100) Katkısız Yüzeyler	katkı maddesi:	GaAs-Si
Oryantasyon Açısı:	0°	Oryantasyon:	EJ[0-1-1]±0,5°
Uzunluk (mm):	17±1	IF Oryantasyonu:	EJ[0-11]±0,5°
Vurgulamak:	GaAs Epi Gofret UKAS , 2 inç GaAs Si Wafer , Yarı İletken Galyum arsenit Gofret

GaAs-Si Gofret 2 inç GaAs (100) Katkısız Yüzeyler (100)15°±0,5° Kapalı<111>A'ya Doğru

genel bakış

Galyum arsenit (kimyasal formül GaAs), bazı diyotlarda, alan etkili transistörlerde (FET'ler) ve entegre devrelerde (IC'ler) kullanılan yarı iletken bir bileşiktir.Çoğunluğu elektronlardan oluşan yük taşıyıcılar, atomlar arasında yüksek hızla hareket ederler.Bu, GaAs bileşenlerini ultra yüksek radyo frekanslarında ve hızlı elektronik anahtarlama uygulamalarında kullanışlı hale getirir.GaAs cihazları, diğer yarı iletken bileşenlerin çoğundan daha az gürültü üretir.Bu, zayıf sinyal amplifikasyonunda önemlidir.

GaAs-Si Gofret
Büyüme Yöntemi	VGF
Davranış Türü	SCN
katkı maddesi	GaAs-Si
Oryantasyon	(100)15°±0,5° Kapalı<111>A'ya Doğru
Oryantasyon Açısı	0°
Oryantasyon	EJ[0-1-1]±0,5°
Uzunluk (mm)	17±1
IF Oryantasyonu	EJ[0-11]±0,5°
EĞER Uzunluk(mm)	7±1
Çap(mm)	50,8±0,2
CC(/cc)	0.4E18~1E18
Özdirenç(ohm.cm)	Yok
hareketlilik(cm²/vs)	≥1000
EPD(/cm²)	≤5000
kalınlık(um)	350±20
TTV(um)	<10
TTR(um)	<10
Yay(um)	<15
Çözgü(um)	<15
Yüzey	Side1: Cilalı Side2: Kazınmış
Ambalajlama	kaset veya tek

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Diğer ürünler

2 inç GaAs Epi Gofret GaAs Katkısız Yüzeyler VGF

büyüme yöntemi: VGF

Davranış Türü: SCN

Ürün adı: GaAs (100) Katkısız Yüzeyler

katkı maddesi: GaAs-Si

S-C-N İletim 2 inç GaAs Katkısız Yüzeyler Yüksek Elektron Hareketliliği

Ürün adı: GaAs-Si Gofret

Davranış Türü: SCN

katkı maddesi: GaAs-Si

Oryantasyon Açısı: 0°

2 inç GaAs Katkısız Yüzeyler GaAs Epi Gofret 0.4E18 - 1E18

Davranış Türü: SCN

katkı maddesi: GaAs-Si

Oryantasyon Açısı: 0°

Oryantasyon: EJ[0-1-1]±0,5°

VGF GaAs Katkısız Substratlar 2 inç GaAs Si Katkı

Ürün adı: GaAs (100) Katkısız Yüzeyler

büyüme yöntemi: VGF

Davranış Türü: SCN

katkı maddesi: GaAs-Si

17 mm 2 inç GaAs Epi Gofret Katkısız Yüzeyler 50.8 mm

Ürün adı: GaAs-Si Gofret

büyüme yöntemi: VGF

Davranış Türü: SCN

katkı maddesi: GaAs-Si

Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

GaAs Epi Gofret UKAS

2 inç GaAs Si Wafer

Yarı İletken Galyum arsenit Gofret

GaAs Epi Gofret Tarafı Cilalı,

GaAs Epi Wafer Katkısız Yüzeyler,

Yarı İletken Galyum arsenit Gofret

2 inç GaAs Epi Gofret GaAs Katkısız Yüzeyler VGF

S-C-N İletim 2 inç GaAs Katkısız Yüzeyler Yüksek Elektron Hareketliliği

2 inç GaAs Katkısız Yüzeyler GaAs Epi Gofret 0.4E18 - 1E18

VGF GaAs Katkısız Substratlar 2 inç GaAs Si Katkı

17 mm 2 inç GaAs Epi Gofret Katkısız Yüzeyler 50.8 mm

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP