Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58

Name: Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

Sertifika

Ben sohbet şimdi

Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58

Büyük resim : Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Suzhou Çin
Marka adı:	GaNova

Ödeme & teslimat koşulları:

Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 25 adetlik kasetlerde veya tek gofret kaplarında vakumlu paketleme
Ödeme koşulları:	T/T

İletişim

Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58

Açıklama

Tip:	lazer diyot	Başvuru:	lazer baskı
Paket Tipi:	Yüzeye Montaj, Standart Paket	Çalışma sıcaklığı:	15-55°C
dalga boyu:	915nm	Verici Boyutu:	94μm
Eşik Akımı:	0,5A	Güç Dönüşüm Verimliliği:	%58
Vurgulamak:	0.5A Lazer Diyot Çipi , 915nm diyot çipleri , Lazer Diyot Çipi 10W

Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58

Submount Tasarımında 915nm 10W COS Diyot Lazer Çipi

Lazer diyotların ve fotodetektörlerin silikon nanotel dalga kılavuzlarıyla çip üzerinde entegrasyonu gösterilmiştir.GaInNA'ların/GaAs lazer diyotlarının doğrudan silikon substrat üzerine flip-chip bağlanması yoluyla, verimli ısı dağılımı gerçekleştirildi ve 132K'ye kadar yüksek karakteristik sıcaklıklar elde edildi.Lazer-dalga kılavuzu bağlantısı için %60'ın üzerinde verimlilikle spot boyutlu dönüştürücüler kullanıldı.

Fotodetektörler, InGaAs/InP gofretlerinin doğrudan silikon dalga kılavuzlarına bağlanması ve metal-yarı iletken-metal yapıların oluşturulmasıyla üretildi ve 0,74 A/W kadar yüksek tepkiler verdi.Hem lazer diyodu hem de fotodetektör, eksiksiz bir çip üstü optik iletim bağlantısını göstermek için tek bir silikon dalga kılavuzu ile entegre edildi.

Optik
Merkez Dalgaboyu	915nm
Çıkış gücü	10W
Spektral Genişlik FWHM	≤6nm
Eğim Verimliliği	1,0 W/A
Hızlı Eksen Sapması	60 Derece
Yavaş Eksen Sapması	11 Derece
Polarizasyon Modu	TE
Verici Boyutu	94um
Elektriksel
Eşik Akımı	0,5A
Çalışma Akımı	12A
Çalışma gerilimi	1.65V
Güç Dönüşüm Verimliliği	%58
termal
Çalışma sıcaklığı	15-55°C
Depolama sıcaklığı	-30-70°C
Dalgaboyu Sıcaklığıkatsayı	0.3nm/℃

Çizim

Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58 0

SSS

S1: Hangi ödeme yöntemlerini destekliyorsunuz?
T/T ve Western Union, Seçiminiz İçin

S2: Paketi ne kadar süre alabilirim?
Normalde 1-2 Hafta FedEx,DHL Express,UPS,TNT

S3: Teslim süresi nedir?
Standart ürün stoklarımızda mevcuttur.Ekspres ile 3~4 iş günü içinde gönderilir.Özel yığın 15 iş gününe ihtiyaç duyar.

S4: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
11 yıldan fazla deneyime sahip bir üreticiyiz ve ayrıca tüm müşterilere teknik çözümler sunuyoruz.

Q5: kalitenizi garanti edebilir misiniz?
Tabii ki, Çin'deki en tanınmış üreticilerden biriyiz.Bizim için kalite en önemli şeydir, itibarımıza yüksek değer veririz.En iyi kalite her zaman ilkemizdir.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Diğer ürünler

Eşik Akımı 0,5A Lazer Diyot Çipi Lazer Baskı Eğimi Verimliliği 1,0W/A

Paket Tipi: Yüzeye Montaj, Standart Paket

Tip: lazer diyot

Başvuru: lazer baskı

Çalışma sıcaklığı: 15-55°C

Submount Tasarımında 915nm 10W COS Diyot Lazer Çipi

Tip: lazer diyot

Başvuru: lazer baskı

Paket Tipi: Yüzeye Montaj, Standart Paket

Çalışma sıcaklığı: 15-55°C

915nm Lazer Diyot Çip Baskı Yüzey Montajlı Standart Paket

Paket Tipi: Yüzeye Montaj, Standart Paket

Çalışma sıcaklığı: 15-55°C

dalga boyu: 915nm

Çıkış gücü: 10

Verici Boyutu 94um Diyot Lazer Yongası Alt Montaj Üzerinde Tasarım Eşik Akımı 0.5A

Tip: lazer diyot

Başvuru: lazer baskı

Paket Tipi: Yüzeye Montaj, Standart Paket

Çalışma sıcaklığı: 15-55°C

Yüzey Montajlı Standart Paket Lazer Diyot Yongası 1,0 W/A

Tip: lazer diyot

Başvuru: lazer baskı

Çalışma sıcaklığı: 15-55°C

Çıkış gücü: 10

Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58

Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58

0.5A Lazer Diyot Çipi

915nm diyot çipleri

Lazer Diyot Çipi 10W

Yüksek Güçlü Lazer Diyot Çipi,

Yarı İletken Diyot Lazer Çipi,

Alt Montajda Diyot Lazer Çipi

Eşik Akımı 0,5A Lazer Diyot Çipi Lazer Baskı Eğimi Verimliliği 1,0W/A

Submount Tasarımında 915nm 10W COS Diyot Lazer Çipi

915nm Lazer Diyot Çip Baskı Yüzey Montajlı Standart Paket

Verici Boyutu 94um Diyot Lazer Yongası Alt Montaj Üzerinde Tasarım Eşik Akımı 0.5A

Yüzey Montajlı Standart Paket Lazer Diyot Yongası 1,0 W/A

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP