Ana sayfa Ürünler GaN Epitaksiyel Gofret

M Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Yüzeyler 325um TTV 10um

Name: M Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Yüzeyler 325um TTV 10um
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-007
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

En iyi ürünleri

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

Sertifika

Ben sohbet şimdi

M Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Yüzeyler 325um TTV 10um

Büyük resim : M Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Yüzeyler 325um TTV 10um

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Suzhou Çin
Marka adı:	GaNova
Sertifika:	UKAS/ISO9001:2015
Model numarası:	JDCD01-001-007

Ödeme & teslimat koşulları:

Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 6 adetlik kasetlerde veya tekli gofret kaplarında vakum paketleme.
Teslim süresi:	3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları:	T/T
Yetenek temini:	10000 adet/ay

İletişim

M Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Yüzeyler 325um TTV 10um

Açıklama

Ürün adı:	GaN Substratı	Boyutlar:	5 x 10,5 mm²
Kalınlık:	350 ±25µm	TTV:	≤ 10µm
yay:	- 10µm ≤ BOW ≤ 10µm	Makro Hata Yoğunluğu:	0cm⁻²
Vurgulamak:	M Face GaN Epitaksiyel Gofret , GaN Yüzeyler TTV 10um , GaN Epitaksiyel Wafer 325um

5*10.5mm²M-yüz Katkısız n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Özdirenç < 0,1 Ω·cm Güç cihazı/lazer levha

genel bakış

Galyum Nitrür (GaN) substrat, yüksek kaliteli tek kristalli bir substrattır.Özgün HVPE yöntemi ve orijinal olarak uzun yıllardır geliştirilen gofret işleme teknolojisi ile yapılmaktadır.Özellikleri, yüksek kristal, iyi tekdüzelik ve üstün yüzey kalitesidir.

Galyum Nitrür, yüksek güçlü, yüksek frekanslı yarı iletken uygulamaları için kullanılan bir yarı iletken teknolojisidir.Galyum Nitrür, çeşitli yüksek güçlü bileşenler için onu GaAs ve Silikondan daha iyi yapan çeşitli özellikler sergiler.Bu özellikler, daha yüksek bir arıza voltajı ve daha iyi elektriksel direnç içerir.

M Fas Free-stVeBenNG GAN AltstraTeS
Öğe	GaN-FS-MUS	GaN-FS-MNS	GaN-FS-M-SI-S	Notlar: Ön ve arka yüzeyi ayırt etmek için bir dairesel yay açısı (R < 2 mm) kullanılır.
boyutlar	5x10mm²
Kalınlık	350 ±25 mikron
Oryantasyon	A eksenine doğru M düzlemi (1- 100) kapalı açı 0 ±0,5° M düzlemi (1- 100) C eksenine doğru kapalı açı - 1 ±0,2°
İletim Türü	N tipi	N tipi	Yarı Yalıtımlı
Özdirenç (300K)	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 10⁶Ω·cm
TTV	≤ 10 mikron
YAY	- 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Ön Yüzey Pürüzlülüğü	< 0,2 nm (parlatılmış) veya < 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi)
Arka Yüzey Pürüzlülüğü	0,5 ~1,5 mikron seçenek: 1~3 nm (ince zemin);< 0,2 nm (cilalı)
Dislokasyon Yoğunluğu	1x10'dan⁵3 x 10'a⁶santimetre^-2
Makro Hata Yoğunluğu	0 cm^-2
Kullanılabilir Alan	> %90 (kenar hariç tutma)
paket	100 sınıfı temiz oda ortamında, 6 ADET kapta, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir

Ek: Yanlış kesim açısı diyagramı

M Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Yüzeyler 325um TTV 10um 1

δ ise₁= 0 ±0,5 derece, ardından M düzlemi (1- 100) A Eksenine doğru sapma açısı 0 ±0,5 derecedir.

δ ise₂= - 1 ±0,2 derece, ardından M düzlemi (1- 100) C Eksenine doğru sapma açısı - 1 ±0,2 derecedir.

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Diğer ürünler

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Ürün adı: Bağımsız GaN Substratları

Kalınlık: 350 ±25µm

Oryantasyon: C düzlemi (0001) M eksenine doğru açı dışı

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ±25µm

yay: - 10µm ≤ BOW ≤ 10µm

Makro Hata Yoğunluğu: 0cm⁻²

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

yay: ≤ 20 mikron

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 325um 375um C Düzlemi

Ürün adı: GaN Tek Kristal Substrat

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ±25µm

Oryantasyon: C düzlemi (0001) M eksenine doğru açı dışı

375 um GaN Epitaksiyel Gofret Dikili U-GaN SI-GaN Substratlar

Ürün adı: 2 inç Bağımsız U-GaN/SI-GaN Substratlar

Boyutlar: 50,8 ± 1 mm

Kalınlık: 350 ± 25μm

Oryantasyon Düz: (1-100) ± 0,5˚, 16 ± 1 mm

M Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Yüzeyler 325um TTV 10um

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

GaN Tek Kristal Substrat

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret

C Yüzü GaN Yüzeyi

M Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Yüzeyler 325um TTV 10um

M Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Yüzeyler 325um TTV 10um

M Face GaN Epitaksiyel Gofret

GaN Yüzeyler TTV 10um

GaN Epitaksiyel Wafer 325um

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret,

Serbest Daimi GaN Yüzeyler,

Mavi LED GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 325um 375um C Düzlemi

375 um GaN Epitaksiyel Gofret Dikili U-GaN SI-GaN Substratlar

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP