Teklif isteği |
Ana sayfa Ürünlerled sapphire substrate r9 çevrimiçi üretici
Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

led sapphire substrate r9 çevrimiçi üretim

(13)
satın almak R Tipi 50mm Safir Gofret Kalınlığı 420μm Uzunluk (mm) 16 LED çip çevrimiçi üretici

R Tipi 50mm Safir Gofret Kalınlığı 420μm Uzunluk (mm) 16 LED çip
İletişim

50mm Sapphire Substrate Wafer High Purity Al2O3(＞99.995%) Thickness 430 ± 10 μm JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430um, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip... Daha fazla bilgi edinin
2023-02-17 11:23:22
satın almak Optoelektronik Parlatma Safir Kristal Gofret R Tipi çevrimiçi üretici

Optoelektronik Parlatma Safir Kristal Gofret R Tipi
İletişim

Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Daha fazla bilgi edinin
2023-02-17 11:22:48
satın almak Bir Düzlem Yüzey Oryantasyonu Safir Gofret Ayna Cilalı EPI Hazır çevrimiçi üretici

Bir Düzlem Yüzey Oryantasyonu Safir Gofret Ayna Cilalı EPI Hazır
İletişim

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Daha fazla bilgi edinin
2023-02-17 10:18:27
Page 2 of 2|< 1 2 >|
Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret tedarikçi. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.