Lütfen doğru e-postanızı ve detaylı gereksinimlerinizi (20-3000 karakter) bırakın.

tamam

Ana sayfa Ürünlerwafer rapid thermal annealing system çevrimiçi üretici

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

Sertifika

Ben sohbet şimdi

wafer rapid thermal annealing system çevrimiçi üretim

(2)

Üç Set Proses Gazlı 150mm Hızlı Termal Tavlama Sistemi
İletişim

Daha fazla bilgi edinin

2024-11-18 17:56:05

Üretimi artırmak için hızlı termal işleme RTP-SA-8 kızartma sistemi
İletişim

Daha fazla bilgi edinin

2024-12-06 17:48:00

Page 1 of 1

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

wafer rapid thermal annealing system çevrimiçi üretim

Üç Set Proses Gazlı 150mm Hızlı Termal Tavlama Sistemi
İletişim

Üretimi artırmak için hızlı termal işleme RTP-SA-8 kızartma sistemi
İletişim

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP