N Tipi Phos Silikon Gofret 3 "Kalınlık 279um 380um 525um 625um

Name: N Tipi Phos Silikon Gofret 3 "Kalınlık 279um 380um 525um 625um
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD06-001-003
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

Sertifika

Ben sohbet şimdi

N Tipi Phos Silikon Gofret 3 "Kalınlık 279um 380um 525um 625um

Büyük resim : N Tipi Phos Silikon Gofret 3 "Kalınlık 279um 380um 525um 625um

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Suzhou Çin
Marka adı:	GaNova
Sertifika:	UKAS/ISO9001:2015
Model numarası:	JDCD06-001-003

Ödeme & teslimat koşulları:

Min sipariş miktarı:	1
Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 25 adetlik kasetlerde veya tek gofret kaplarında vakumlu paketleme
Teslim süresi:	3-4 hafta içi gün
Ödeme koşulları:	T/T
Yetenek temini:	50000 adet/ay

İletişim

N Tipi Phos Silikon Gofret 3 "Kalınlık 279um 380um 525um 625um

Açıklama

Tip/Dopant:	P Tipi/Bor,N Tipi/Phos,N Tipi/As, N Tipi/Sb	kalınlık(um):	279
kalınlık toleransı:	Standart ± 25μm,Maksimum Yetenekler ± 5μm	Direnç:	0,001-100 ohm-cm
Yüzey Bitmiş:	P/E,P/P,E/E,G/G	TTV(um):	Standart <10 μm,Maksimum Yetenekler<5 μm
Yay/Çözgü:	Standart <40 μm,Maksimum Yetenekler<20 μm	parçacık:	<10@0.5μm; <10@0.5μm; <10@0.3μm; <10@0.3μm; <10@0.2μm;
Vurgulamak:	N Tipi Silikon Gofret , 279um 3 inç gofret , Phos 3 inç Silikon Gofret

Direnç 0,001-100 ohm-cm Silikon Gofret Kalınlığı (μm) 279/380/525/625/675/725/775

2 İnçlik Silikon Gofret MEMS Cihazları, Entegre Devreler, Ayrık Cihazlar İçin Özel Alt Tabakalar

genel bakış

Bu temizleme işleminden sonra gofretler anotlama işlemi için anotlama hücrelerine aktarılır.Anodizasyon hücrelerinde bir elektrolit, karşı elektrot ve silikon elektrot veya silikon gofretler, teller ve DC kaynakları bulunur.

Şartname

silikon plaka
Çap	2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Seviye	Astar vurmak
Büyüme Yöntem	CZ
Oryantasyon	<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Tip/Dopant	P Tipi/Bor,N Tipi/Phos,N Tipi/As, N Tipi/Sb
kalınlık(um)	279/380/525/625/675/725/775
Kalınlık Hata payı	Standart ± 25μm,Maksimum Kapasite/ler ± 5μm
Direnç	0,001-100 ohm-cm
Yüzey Bitti	P/E,P/P,E/E,G/G
TTV(um)	Standart <10 μm,Maksimum Yetenekler<5 μm
Yay/Çözgü	Standart <40 μm,Maksimum Yetenekler<20 μm
parçacık	<10@0.5μm;<10@0.3μm;<10@0.2μm;

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Diğer ürünler

0.001-100 ohm-cm Silikon Gofret P Tipi Bor Katkısı

Çap: 2"

Seviye: Astar vurmak

büyüme yöntemi: CZ

Oryantasyon: <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>

Ayrık Cihazlar Si Yüzeyler P/E P/P E/E G/G Yüzey Cilalı

büyüme yöntemi: CZ

Çap: 2"

Seviye: Astar vurmak

Oryantasyon: <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>

Prime 2'' Silikon Wafer Standart

Çap: 2"

Seviye: Astar vurmak

büyüme yöntemi: CZ

Direnç: 0,001-100 ohm-cm

Mikroelektronik 279um Silikon Epitaksiyel Gofret Birincil Yüzey

Seviye: Astar vurmak

büyüme yöntemi: CZ

Tip/Dopant: P Tipi/Bor,N Tipi/Phos,N Tipi/As, N Tipi/Sb

kalınlık(um): 279

4" 5" 6" Si Gofret P Tipi / Boron N Tipi / As N Tipi / Sb

Çap: 2"

Seviye: Astar vurmak

büyüme yöntemi: CZ

Oryantasyon: <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>

N Tipi Phos Silikon Gofret 3 "Kalınlık 279um 380um 525um 625um

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

N Tipi Phos Silikon Gofret 3 "Kalınlık 279um 380um 525um 625um

N Tipi Phos Silikon Gofret 3 "Kalınlık 279um 380um 525um 625um

N Tipi Silikon Gofret

279um 3 inç gofret

Phos 3 inç Silikon Gofret

N Tipi silikon epi gofret,

p tipi silikon alt tabaka,

CZ Silikon Gofret

0.001-100 ohm-cm Silikon Gofret P Tipi Bor Katkısı

Ayrık Cihazlar Si Yüzeyler P/E P/P E/E G/G Yüzey Cilalı

Prime 2'' Silikon Wafer Standart

Mikroelektronik 279um Silikon Epitaksiyel Gofret Birincil Yüzey

4" 5" 6" Si Gofret P Tipi / Boron N Tipi / As N Tipi / Sb

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP