Ana sayfa Ürünler Alüminyum Nitrür Gofret

ALN 10*10mm2 AlN Tek kristal 400±50μM S/P/R sınıfı

Name: ALN 10*10mm2 AlN Tek kristal 400±50μM S/P/R sınıfı
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD02-001-004
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

Sertifika

Ben sohbet şimdi

ALN 10*10mm2 AlN Tek kristal 400±50μM S/P/R sınıfı

Büyük resim : ALN 10*10mm2 AlN Tek kristal 400±50μM S/P/R sınıfı

Ürün ayrıntıları:

Marka adı:	GaNova
Model numarası:	JDCD02-001-004

Ödeme & teslimat koşulları:

Min sipariş miktarı:	1
Ambalaj bilgileri:	10000 sınıfı temiz oda ortamında, 25 adetlik kasetlerde veya tek gofret kaplarında vakumlu paketleme
Ödeme koşulları:	T/T

İletişim

ALN 10*10mm2 AlN Tek kristal 400±50μM S/P/R sınıfı

Açıklama

Çapraz:	10mmx10mm	Kalınlık (μm):	400±50
Kristal Formu:	2 saat	politip:	{0001}±0,5°
Kabartma:	Al yüz：≤0.5nm N yüz(arka):≤1.2μm	yüzey parlatma:	Alüminyum yüzey: kimyasal parlatma (çift
Vurgulamak:	ALN alüminyum nitrit wafer , 2H alüminyum nitrit plaka , 10*10mm2 aln wafer

AlN substrat, mükemmel ısı direncine, yüksek mekanik mukavemete, aşınma direncine ve küçük dielektrik kaybına sahip en popüler seramik substratlardan biridir.AlN substratın yüzeyi oldukça pürüzsüz ve düşük gözeneklidir.Alüminyum Nitrür, alümina alt tabakaya kıyasla daha yüksek termal iletkenliğe sahiptir, yaklaşık 7 ila 8 kat yüksektir.AlN substrat, mükemmel bir elektronik paket malzemesidir.

İnce bir alüminyum nitrür filmi, yüksek sıcaklıklara dayanıklı bir alüminyum tabakasıdır.Yüksek sıcaklıklarda, bu alüminyum tabakası malzemenin korunmasına yardımcı olacaktır.Yüksek basınçlı ortamlarda kararsız olabilir.980degC'ye kadar bir sıcaklık aralığına dayanabilir.Düşük seviyelerde, insanlar için toksik olabilir.Cep telefonlarında da kullanılmaktadır.Özellikleri son derece çeşitlidir.

*1010mm² Alüminyum nitrür tek kristal substrat**
Kristal Özellikleri	Parametre değeri
Çap(mm)	10x10
kalınlık(um)	400±50
Kristal Formu	2 saat
politip	{0001}±0,5°
Yüzey parlatma	Alüminyum yüzey: kimyasal parlatma (çift parlatma özelleştirilebilir)
Pürüzlülük	Al yüzü: ≤0.5nm N yüz (arka): ≤1.2μm
dış görünüş	kare şekli
Kalite notu	S sınıfı (Süper)	P sınıfı (Üretim)	R notu (Araştırma)
HRXRD Yarım yükseklik genişliği@{0002}(yay saniye)	≤150	≤300	≤500
HRXRD Yarım yükseklik genişliği@{10-12}(yay saniye)	≤100	≤200	≤400
absorpsiyon katsayısı@265nm(cm^-1)	≤50	≤70	≤100
Kenar Hariç Tutma(mm)	1	1	1
Girintiler	无	无	无
cips	无	无	≤3 Kümülatif ≤1,0 mm
TUA	≥90%
TTV(um)	≤30
Çözgü(um)	≤30
yay(um)	≤30
Çatlaklar	Hayır, çıplak gözle, güçlü ışık
Bulaşma	Hayır, çıplak göz, radyasyon
paket	Yekpare gofret kutusu

Hakkımızda

Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.

SSS

S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.

Etiket:

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Diğer ürünler

1 '' AlN Alüminyum Nitrür Gofret 400um S / P / R Sınıfı Kimyasal Parlatma

Ürün adı: AlN tek kristal

Pürüzlülük: Al yüz: ≤0,5nm N yüz (arka): ≤1,2μm

Dış görünüş: Dairesel kayış konumlandırma kenarı

TUA: ≥90%

25,4 mm 1 inç AlN Tek Kristal 400um 2H Kristal Form

Dış görünüş: Dairesel kayış konumlandırma kenarı

Ürün adı: Alüminyum Nitrür Gofret

Çap(mm): 25,4±0,5

kalınlık(um): 400±50

1 inç AlN Tek Kristal Alüminyum Nitrür Gofret 450um

TUA: ≥90%

politip: {0001}±0,5°

Ürün adı: Alüminyum Nitrür Gofret

Çap: 25,4±0,5 mm

Safir Gofret Üzerinde C Düzlem AIN Tek veya Çift Tarafı Cilalı

Boyutlar: φ50.8mm±0.1mm,OF(1-100), Al Yüz, Yerleştirme Kenarı 16.0± 1.0mm

yüzey: Safir (Tek veya Çift Tarafı Cilalı)

İletim Tipi: Yarı Yalıtımlı

Kenar Hariç Tutma Bölgesi: <2mm

Safir Gofret Yüzeyinde Yarı Yalıtımlı Alüminyum Nitrür Gofret AIN

Boyutlar: φ50.8mm±0.1mm,OF(1-100), Al Yüz, Yerleştirme Kenarı 16.0± 1.0mm

yüzey: Safir (Tek veya Çift Tarafı Cilalı)

İletim Tipi: Yarı Yalıtımlı

Kenar Hariç Tutma Bölgesi: <2mm

ALN 10*10mm2 AlN Tek kristal 400±50μM S/P/R sınıfı

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

ALN 10*10mm2 AlN Tek kristal 400±50μM S/P/R sınıfı

ALN 10*10mm2 AlN Tek kristal 400±50μM S/P/R sınıfı

ALN alüminyum nitrit wafer

2H alüminyum nitrit plaka

10*10mm2 aln wafer

Safir Alüminyum Nitrür Wa,

Alüminyum Nitrür Gofret ISO,

cilalı safir gofretler

Safir Alüminyum Nitrür Wa,

Alüminyum Nitrür Gofret ISO,

cilalı safir gofretler

1 '' AlN Alüminyum Nitrür Gofret 400um S / P / R Sınıfı Kimyasal Parlatma

25,4 mm 1 inç AlN Tek Kristal 400um 2H Kristal Form

1 inç AlN Tek Kristal Alüminyum Nitrür Gofret 450um

Safir Gofret Üzerinde C Düzlem AIN Tek veya Çift Tarafı Cilalı

Safir Gofret Yüzeyinde Yarı Yalıtımlı Alüminyum Nitrür Gofret AIN

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP