Çin GaAs Epi Gofret

• 

  JDCD10-001-005 2 inç GaAs(111) Zn katkılı alt tabakalar

  Ürün adı:GaAs-Si Gofret

  büyüme yöntemi:VGF

  Davranış Türü:SCN

  Şimdi başvurun
• 

  JDCD10-001-003 2 inç GaAs(100) Zn Katkılı Yüzeyler

  Ürün adı:GaAs-Si Gofret

  Oryantasyon:(100)15°±0,5° Kapalı<111>A'ya Doğru

  Oryantasyon:EJ[0-1-1]±0,5°

  Şimdi başvurun
• 

  JDCD10-001-004 2 inç GaAs (111) Si-Katkılı Yüzeyler

  Ürün adı:GaAs-Si Gofret

  Oryantasyon Açısı:0°

  Oryantasyon:EJ[0-1-1]±0,5°

  Şimdi başvurun