Mesaj gönder

Turkish

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Teklif isteği |

Ana sayfa Ürünler

Ga2O3 Gofret

Çin Ga2O3 Gofret

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Kapalı 6°) Fe Katkılı Serbest Dikili Ga2O3 Tek Kristal Yüzey Ürün Sınıfı Tek Parlatma

Kalınlık:0,6~0,8 mm

Ürün adı:Tek Kristal Substrat

Oryantasyon:（100）kapalı 6°

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

Kategorilere göz at：

Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret: 2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi; Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları; 2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret: Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um; 4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um; Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret Tedarikçi. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.