Teklif isteği |
Ana sayfa Ürünlerga2o3 single crystal substrate çevrimiçi üretici
Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

ga2o3 single crystal substrate çevrimiçi üretim

(13)
satın almak Tek Taraflı Cilalı Ga2O3 Gofret Tek Kristal Yüzey çevrimiçi üretici

Tek Taraflı Cilalı Ga2O3 Gofret Tek Kristal Yüzey
İletişim

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Daha fazla bilgi edinin
2024-10-29 11:49:58
satın almak Sn Doping Ga2O3 Gofret Tekli Kristal Yüzey 10x10mm2 çevrimiçi üretici

Sn Doping Ga2O3 Gofret Tekli Kristal Yüzey 10x10mm2
İletişim

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Daha fazla bilgi edinin
2024-10-29 11:49:58
satın almak 10x15mm2 UID Katkılı Dikili Tip Ga2O3 Gofret Tek Parlatma çevrimiçi üretici

10x15mm2 UID Katkılı Dikili Tip Ga2O3 Gofret Tek Parlatma
İletişim

JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single ... Daha fazla bilgi edinin
2022-09-27 16:57:32
Page 2 of 2|< 1 2 >|
Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret tedarikçi. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.