Teklif isteği |
Ana sayfa Ürünlerwafer cassette carrier çevrimiçi üretici
Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

wafer cassette carrier çevrimiçi üretim

(9)
satın almak 6 inç Gofret Tutucu Temizleme Çiçek Sepetleri ve Kolları çevrimiçi üretici

6 inç Gofret Tutucu Temizleme Çiçek Sepetleri ve Kolları
İletişim

6inch Wafer Holder Cleaning Flower Baskets And Handles PFA Cassette / Cassette of wafer can be customized and designed by customers’ request, able to resist strong acid, strong hydrofluoric acid, strong base ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-09 10:46:01
satın almak Safir Wafer Üzerinde 4 İnç N-Tipi Si-Katkılı GaN SSP Özdirenç＜0,05 Ω cm LED, Lazer, PIN Epitaksiyel Gofret çevrimiçi üretici

Safir Wafer Üzerinde 4 İnç N-Tipi Si-Katkılı GaN SSP Özdirenç＜0,05 Ω cm LED, Lazer, PIN Epitaksiyel Gofret
İletişim

4 inch N-type Si-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＜0.05 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For lightly Si-doped GaN ([Si] = 2.1 × 1016 cm−3), the room temperature (RT) electron mobility was as high ... Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:42:55
satın almak 4 İnç Mg Katkılı GaN/Safir Yüzeyler SSP Direnci~10Ω cm LED Lazer PIN Epitaksiyel Gofret çevrimiçi üretici

4 İnç Mg Katkılı GaN/Safir Yüzeyler SSP Direnci~10Ω cm LED Lazer PIN Epitaksiyel Gofret
İletişim

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:47
satın almak 4 İnç N-Tipi UID Katkılı Safir Gofret Üzerinde GaN SSP Direnç>0,5 Ω cm LED, Lazer, PIN Epitaksiyel Wafer çevrimiçi üretici

4 İnç N-Tipi UID Katkılı Safir Gofret Üzerinde GaN SSP Direnç>0,5 Ω cm LED, Lazer, PIN Epitaksiyel Wafer
İletişim

4 inch N-type UID-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＞0.5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of ... Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:54
satın almak Safir Wafer Üzerinde 4 İnç P Tipi Mg Katkılı GaN SSP Direnç~10Ω Cm LED Lazer PIN Epitaksiyel Gofret çevrimiçi üretici

Safir Wafer Üzerinde 4 İnç P Tipi Mg Katkılı GaN SSP Direnç~10Ω Cm LED Lazer PIN Epitaksiyel Gofret
İletişim

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer The electrical properties of p-type Mg-doped GaN are investigated through variable-temperature Hall effect ... Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:49
satın almak Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS çevrimiçi üretici

Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
İletişim

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Daha fazla bilgi edinin
2022-09-27 17:18:19
satın almak 18mm GaAs Si Gofret 2 inç GaAs Katkısız Yüzeyler VGF S-C-N çevrimiçi üretici

18mm GaAs Si Gofret 2 inç GaAs Katkısız Yüzeyler VGF S-C-N
İletişim

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-09 09:53:40
satın almak 150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 4H Kristal Form çevrimiçi üretici

150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 4H Kristal Form
İletişim

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:20:57
satın almak 2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar çevrimiçi üretici

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar
İletişim

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... Daha fazla bilgi edinin
2024-10-14 17:06:30
Page 1 of 1
Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret tedarikçi. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.