|
Ürün ayrıntıları:
|
| Ürün adı: | Sic Epitaksiyel Gofret | Çap: | 100.0mm+0.0/-0.5mm |
|---|---|---|---|
| Yüzey Yönü: | {0001}±0,2° | Ana referans kenarının uzunluğu: | 32,5 mm ± 2,0 mm |
| Gofretin kenarı: | pah açısı | Kalınlık: | 500.0±25.0μm |
JDCD03-002-001 4 inç 4H-SiC substrat P seviyesi SI 500,0±25,0μm MPD≤0,3/cm2 Direnç≥1E9Ω·cm, güç ve mikrodalga cihazlar için
genel bakış
SiC, GaAs veya Si'den daha yüksek termal iletkenliğe sahiptir, yani SiC cihazları teorik olarak GaAs veya Si'den daha yüksek güç yoğunluklarında çalışabilir.Geniş bant aralığı ve yüksek kritik alanla birleştirilmiş daha yüksek termal iletkenlik, yüksek güç arzu edilen anahtar bir cihaz özelliği olduğunda SiC yarı iletkenlere bir avantaj sağlar.
Şu anda silisyum karbür (SiC), yüksek güç uygulamaları için yaygın olarak kullanılmaktadır.SiC ayrıca daha yüksek güçlü cihazlar için GaN'nin epitaksiyel büyümesi için bir substrat olarak kullanılır.
|
4 inç 4H-SiC Yarı yalıtımlı alt tabaka |
|||
| Ürün performansı | P seviyesi | D seviyesi | |
| kristal formu | 4 saat | ||
| politipik | İzin vermemek | Alan≤5% | |
| Mikro Boru YoğunluğuA | ≤0,3/cm2 | ≤5/cm2 | |
| Altı kare boş | İzin vermemek | Alan≤5% | |
| Altıgen yüzey hibrit kristal | İzin vermemek | Alan≤5% | |
| sarma sayfasıA | Alan≤0,05% | Yok | |
| Direnç | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |
|
(0004) XRDsallanma eğrisinin yarı yükseklik genişliği (FWHM) |
≤45Yaysaniye |
Yok |
|
| Çap | 100.0mm+0.0/-0.5mm | ||
| Yüzey yönü | {0001}±0,2° | ||
| Ana referans kenarının uzunluğu |
32,5 mm ± 2,0 mm
|
||
| İkincil referans kenarının uzunluğu | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||
| Ana referans düzlemi oryantasyonu | paralel<11-20> ± 5.0˚ | ||
| İkincil referans düzlem yönü | Ana referans düzlemine 90 ° saat yönünde ˚ ± 5,0 ˚, Si yüzü yukarı | ||
| Yüzey hazırlığı | C-Face: Ayna Parlatma, Si-Face: Kimyasal Mekanik Parlatma (CMP) | ||
| Gofretin kenarı | pah açısı | ||
|
Yüzey pürüzlülüğü(5μm×5μm)
|
Si yüzü Ra＜0,2 nm
|
||
| kalınlık |
500.0±25.0μm
|
||
| LTV(10mm×10mm)A |
≤2µm
|
≤3µm
|
|
| TTVA |
≤6µm
|
≤10µm
|
|
| YayA |
≤15µm
|
≤30µm
|
|
| çözgüA |
≤25µm
|
≤45µm
|
|
| Kırık kenar / boşluk | 0,5 mm uzunluğunda ve genişliğinde daraltma kenarlarına izin verilmez | ≤2 ve her uzunluk ve genişlik 1,0 mm | |
| çizikA | ≤4, Ve toplam uzunluk çapın 0,5 katıdır | ≤5 , Ve toplam uzunluk çapın 1,5 katıdır | |
| kusur | izin vermemek | ||
| kirlilik | izin vermemek | ||
| Kenar kaldırma |
3mm |
||
Not: ile işaretlenen öğeler için 3mm kenar hariç tutma kullanılır.A.
Hakkımızda
Elektronik, optik, opto elektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalarına çeşitli malzemeleri işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışında birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışmakta, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürün ve hizmetler sunmaktayız.İyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek vizyonumuzdur.
SSS
S: Ticaret şirketi veya üretici misiniz?
Biz fabrikayız.
S: Teslim süreniz ne kadar?
Malların stokta olması genellikle 3-5 gündür.
veya mal stokta değilse 7-10 gündür, miktarına göre.
S: numune sağlıyor musunuz?ücretsiz mi yoksa ekstra mı?
Evet, numuneyi ücretsiz olarak sunabiliriz ancak navlun bedelini ödemeyiz.
S: ödeme koşullarınız nedir?
Ödeme <=5000USD, %100 peşin.
Paymen >=5000USD, %80 T/T peşin, sevkiyat öncesi bakiye.
İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)
Tel: +8613372109561
