Teklif isteği |
Ana sayfa Ürünlersemiconductor diode laser chip çevrimiçi üretici
Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

semiconductor diode laser chip çevrimiçi üretim

(4)
satın almak Lazer Baskı Lazer Diyot Yarı İletken Çip 1.0W/A Verici Boyutu 94μm Dalga Boyu 915nm çevrimiçi üretici

Lazer Baskı Lazer Diyot Yarı İletken Çip 1.0W/A Verici Boyutu 94μm Dalga Boyu 915nm
İletişim

Laser Printing Laser Diode Chip 1.0W/A Emitter Size 94μm Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Chip on Submount COS Laser Diode employing AuSn bonding and P Down package with ... Daha fazla bilgi edinin
2022-09-22 15:10:25
satın almak Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58 çevrimiçi üretici

Eşik Akımı 0.5A Lazer Diyot Yongası Güç Dönüşüm Verimliliği %58
İletişim

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Power Conversion Efficiency 58% 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design On-chip integration of laser diodes and photodetectors with silicon nanowire waveguides ... Daha fazla bilgi edinin
2022-09-22 15:12:40
satın almak Eşik Akımı 0,5A Lazer Diyot Çipi Lazer Baskı Eğimi Verimliliği 1,0W/A çevrimiçi üretici

Eşik Akımı 0,5A Lazer Diyot Çipi Lazer Baskı Eğimi Verimliliği 1,0W/A
İletişim

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Laser Printing Slope Efficiency 1.0W/A 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design The light source is integrated by flip-chip bonding directly onto the Si ... Daha fazla bilgi edinin
2022-09-22 15:13:34
satın almak Thk 430um Safir Substrat Kristal Yönü C/M0.2 çevrimiçi üretici

Thk 430um Safir Substrat Kristal Yönü C/M0.2
İletişim

Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... Daha fazla bilgi edinin
2023-02-17 10:18:05
Page 1 of 1
Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret tedarikçi. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.