Teklif isteği |
Ana sayfa Ürünlersic epitaxial wafer c face çevrimiçi üretici
Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

sic epitaxial wafer c face çevrimiçi üretim

(33)
satın al 6 inç 4H SiC N Tipi Yüzey 47,5 mm İkincil Düz Yok çevrimiçi Üretici

6 inç 4H SiC N Tipi Yüzey 47,5 mm İkincil Düz Yok
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:26:17
satın al Güç Cihazları ve Mikrodalga Cihazları İçin 260μm Silisyum Karbür Substrat P Seviyesi çevrimiçi Üretici

Güç Cihazları ve Mikrodalga Cihazları İçin 260μm Silisyum Karbür Substrat P Seviyesi
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2024-10-29 11:49:58
satın al 4 inç 4H-SiC Substrate P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Direnci≥1E9Ω·Cm Güçlü Mikrodalga için çevrimiçi Üretici

4 inç 4H-SiC Substrate P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Direnci≥1E9Ω·Cm Güçlü Mikrodalga için
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-27 11:43:50
satın al 150mm 4H SiC Gofret Yarı İzolasyonlu Yüzey 6 inç 350μm çevrimiçi Üretici

150mm 4H SiC Gofret Yarı İzolasyonlu Yüzey 6 inç 350μm
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:22:12
satın al İkincil Düz SiC Yüzey Yok 150,0 mm 47,5 mm çevrimiçi Üretici

İkincil Düz SiC Yüzey Yok 150,0 mm 47,5 mm
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:24:09
satın al 4 inç 4H-SiC Substrat P-seviye SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Direnci≥1E5Ω·cm Güçlü Mikrodalga için çevrimiçi Üretici

4 inç 4H-SiC Substrat P-seviye SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Direnci≥1E5Ω·cm Güçlü Mikrodalga için
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-27 11:43:50
satın al 4 inç 4H-SiC Substrat P Seviyesi N Tipi 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Direnç 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm çevrimiçi Üretici

4 inç 4H-SiC Substrat P Seviyesi N Tipi 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Direnç 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:25
satın al Güç Cihazları Mikrodalga Cihazları İçin 2 İnç Yarı İletken Gofret P Seviyesi 260μm çevrimiçi Üretici

Güç Cihazları Mikrodalga Cihazları İçin 2 İnç Yarı İletken Gofret P Seviyesi 260μm
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:25:55
satın al 6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um çevrimiçi Üretici

6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:21:10
satın al 2 inç C-Face Fe-Katkılı SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci > 10⁶ Ω·cm RF Cihazları çevrimiçi Üretici

2 inç C-Face Fe-Katkılı SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci > 10⁶ Ω·cm RF Cihazları
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:44
Page 3 of 4|< 1 2 3 4 >|
Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret Tedarikçi. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.