Ana sayfa

Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Site Haritası

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(65)

Sic Epitaksiyel Gofret
(39)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

Sertifika

Ben sohbet şimdi

şirket

Hakkımızda:

Şirket profili
Şirket tarihçesi
Firma Servisi
Fabrika turu
Kalite kontrol
Bize ulaşın

Ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

Katkısız GaN Epitaksiyel Gofret M Yüz Serbest Duran GaN Substratları
GaN Galyum Nitrür Gofret Kalınlığı 325um - 375um Bağlantısız
5 X 10 mm2 M Yüz GaN Epitaksiyel Gofret Kalınlığı 325um 375um
Tek Kristal Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret TTV 10um

Sic Epitaksiyel Gofret

Politip İzin Verilmez SiC Epitaksiyel Gofret P-MOS P-SBD D Sınıfı
Güç Cihazları ve Mikrodalga Cihazları İçin 260μm Silisyum Karbür Substrat P Seviyesi
150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 4H Kristal Form
P MOS Derece 2 İnç SiC Epi Gofret P Düzeyi P SBD Derece D Derece 150.0mm

Alüminyum Nitrür Gofret

JDWY01-001-006 2 İnç Kalın Film (3,4)Um AIN On Sapphire Wafer,DSP,XRD FWHM Of(002)≤120arcsec(102) ≤450arcsec
JDWY01-001-004 2 inç kalın film (2,3)um AIN, safir gofret üzerinde, DSP, XRD FWHM of(002)≤100arksn(102) ≤550arksn
JDWY01-001-007 2 İnç Kalın Film (4,5)Um AIN On Sapphire Wafer,SSP,XRD FWHM Of(002)≤160arcsec\(102) ≤400arcsec
1 inç AlN Tek Kristal wafer 400±50μM S/P/R sınıfı

Silikon plaka

JDCD06-001-007 12 inçlik silikon levha MEMS cihazları Entegre devreler Ayrı cihazlar için özel substratlar
JDCD06-001-006 8 inçlik silikon levha MEMS cihazları entegre devreler ayrık cihazlar için özel substratlar
JDCD06-001-005 6 inçlik silikon levha MEMS cihazları Entegre devreler Ayrı cihazlar için özel substratlar
JDCD06-001-004 5 inçlik silikon levha MEMS cihazları Entegre devreler Ayrı cihazlar için özel substratlar

Safir Gofret

JDCD08-001-006 6 inç C-Düzlem Safir Substrat Gofret
JDCD08-001-005 4 inç R-Düzlem Safir Substrat Gofret
JDCD08-001-004 2 inç R-Düzlem Safir Substrat Gofret

Page 5 of 17|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

İletişim bilgileri

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

İlgili kişi: Xiwen Bai (Ciel)

Tel: +8613372109561

Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Site Haritası

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

Alüminyum Nitrür Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP