Ana sayfa Ürünler

Silikon plaka

Çin Silikon plaka

Ayrık Cihazlar 2 İnç Silikon Gofret Kalınlığı 675um 725um 775um

Çap:2"

Seviye:Astar vurmak

büyüme yöntemi:CZ
775um 725um 675um 8 İnç Gofret Yarı İletken Cihazlar

Çap:2"

Seviye:Astar vurmak

büyüme yöntemi:CZ
2'' Yarı İletken Silikon Gofret Kalınlığı 279μm

Çap:2"

Oryantasyon:<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>

Tip/Dopant:P Tipi/Bor,N Tipi/Phos,N Tipi/As, N Tipi/Sb
MEMS Cihazları Silikon Yüzeyler Özel Entegre Devreler

Çap:2"

Seviye:Astar vurmak

büyüme yöntemi:CZ
JDCD06-001-003 4 İnç Silikon Gofret MEMS Cihazları, Entegre Devreler, Ayrık Cihazlar İçin Özel Yüzeyler

Çap:4"

Seviye:Astar vurmak

büyüme yöntemi:CZ
JDCD06-001-002 3 İnç Silikon Gofret MEMS Cihazları, Entegre Devreler, Ayrık Cihazlar İçin Özel Yüzeyler

Çap:3"

Seviye:Astar vurmak

büyüme yöntemi:CZ
MEMS İşleme için JDCD07-001-003 6 İnç SOI Epitaksiyel Gofret

Oryantasyon:<100>,<111>

Tip/Dopant:P Tipi/Bor , N Tipi/Phos, N Tipi/As, N Tipi/Sb

kalınlık(um):300-725
MEMS İşleme için JDCD07-001-004 7 İnç SOI Epitaksiyel Gofret

Çap:7"

Oryantasyon:<100>,<111>

Tip/Dopant:P Tipi/Bor , N Tipi/Phos, N Tipi/As, N Tipi/Sb
MEMS İşleme için JDCD07-001-002 5 İnç SOI Epitaksiyel Gofret

Oryantasyon:<100>,<111>

Tip/Dopant:P Tipi/Bor , N Tipi/Phos, N Tipi/As, N Tipi/Sb

Tekdüzelik:<%5
MEMS İşleme için JDCD07-001-001 4 İnç SOI Epitaksiyel Gofret

Çap:4"

Oryantasyon:<100>,<111>

Tip/Dopant:P Tipi/Bor , N Tipi/Phos, N Tipi/As, N Tipi/Sb
JDCD06-001-007 12 İnç Silikon Gofret MEMS Cihazları, Entegre Devreler, Ayrık Cihazlar İçin Özel Yüzeyler

Çap:12"

Seviye:Astar vurmak

büyüme yöntemi:CZ
JDCD06-001-006 8 İnç Silikon Gofret MEMS Cihazları, Entegre Devreler, Ayrık Cihazlar İçin Özel Yüzeyler

Çap:8"

Seviye:Astar vurmak

büyüme yöntemi:CZ

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Kategorilere göz at：

Silikon plaka

Çin Silikon plaka

Ayrık Cihazlar 2 İnç Silikon Gofret Kalınlığı 675um 725um 775um

775um 725um 675um 8 İnç Gofret Yarı İletken Cihazlar

2'' Yarı İletken Silikon Gofret Kalınlığı 279μm

MEMS Cihazları Silikon Yüzeyler Özel Entegre Devreler

JDCD06-001-003 4 İnç Silikon Gofret MEMS Cihazları, Entegre Devreler, Ayrık Cihazlar İçin Özel Yüzeyler

JDCD06-001-002 3 İnç Silikon Gofret MEMS Cihazları, Entegre Devreler, Ayrık Cihazlar İçin Özel Yüzeyler

MEMS İşleme için JDCD07-001-003 6 İnç SOI Epitaksiyel Gofret

MEMS İşleme için JDCD07-001-004 7 İnç SOI Epitaksiyel Gofret

MEMS İşleme için JDCD07-001-002 5 İnç SOI Epitaksiyel Gofret

MEMS İşleme için JDCD07-001-001 4 İnç SOI Epitaksiyel Gofret

JDCD06-001-007 12 İnç Silikon Gofret MEMS Cihazları, Entegre Devreler, Ayrık Cihazlar İçin Özel Yüzeyler

JDCD06-001-006 8 İnç Silikon Gofret MEMS Cihazları, Entegre Devreler, Ayrık Cihazlar İçin Özel Yüzeyler

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP