Teklif isteği |
Ana sayfa Ürünlerp type silicon substrate çevrimiçi üretici
Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

p type silicon substrate çevrimiçi üretim

(81)
satın almak 2 inçlik GaN silikon mavi LD Epi levha GaN mavi lazer silikon üzerinde çevrimiçi üretici

2 inçlik GaN silikon mavi LD Epi levha GaN mavi lazer silikon üzerinde
İletişim

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Daha fazla bilgi edinin
2024-12-06 17:35:32
satın almak Bir Düzlem Yüzey Oryantasyonu Safir Gofret Ayna Cilalı EPI Hazır çevrimiçi üretici

Bir Düzlem Yüzey Oryantasyonu Safir Gofret Ayna Cilalı EPI Hazır
İletişim

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Daha fazla bilgi edinin
2023-02-17 10:18:27
satın almak Serbest Dikili U / SI GaN Epitaksiyel Gofret 50.8 mm 350 um çevrimiçi üretici

Serbest Dikili U / SI GaN Epitaksiyel Gofret 50.8 mm 350 um
İletişim

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 50.8 ± 1 mm 350 ± 25 μm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-08 17:12:14
satın almak 50.8mm Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 2 İnç Serbest Daimi çevrimiçi üretici

50.8mm Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret 2 İnç Serbest Daimi
İletişim

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-08 17:22:16
satın almak 4 İnç Mg Katkılı GaN/Safir Yüzeyler SSP Direnci~10Ω cm LED Lazer PIN Epitaksiyel Gofret çevrimiçi üretici

4 İnç Mg Katkılı GaN/Safir Yüzeyler SSP Direnci~10Ω cm LED Lazer PIN Epitaksiyel Gofret
İletişim

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:47
satın almak 50mm Safir Gofret R9 Ayna Cilalı EPI Hazır Gofret Kenar R Tipi çevrimiçi üretici

50mm Safir Gofret R9 Ayna Cilalı EPI Hazır Gofret Kenar R Tipi
İletişim

High Purity Al2O3＞99.995% R9 Mirror Polished EPI-Ready Wafer edge R-type JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate ... Daha fazla bilgi edinin
2023-02-17 10:17:17
satın almak 6 inç SiC Epitaksiyel Gofret çevrimiçi üretici

6 inç SiC Epitaksiyel Gofret
İletişim

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-09 16:56:20
satın almak 47,5 mm ± 1,5 mm SiC Epitaksiyel Gofret 150,0 mm +0mm/-0,2mm Paralel&lt;11-20&gt;±1° çevrimiçi üretici

47,5 mm ± 1,5 mm SiC Epitaksiyel Gofret 150,0 mm +0mm/-0,2mm Paralel<11-20>±1°
İletişim

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Daha fazla bilgi edinin
2024-10-29 11:49:58
satın almak 4H SiC Epitaksiyel Wafer 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm çevrimiçi üretici

4H SiC Epitaksiyel Wafer 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm
İletişim

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Daha fazla bilgi edinin
2024-10-29 11:49:58
satın almak 2 Inç Güç Aygıtı Yüksek Elektron Hareketliliği Transistörü Epitaxial Wafer çevrimiçi üretici

2 Inç Güç Aygıtı Yüksek Elektron Hareketliliği Transistörü Epitaxial Wafer
İletişim

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Daha fazla bilgi edinin
2024-12-06 17:41:10
Page 7 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret tedarikçi. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.