Teklif isteği |
Ana sayfa Ürünlerp type silicon substrate çevrimiçi üretici
Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

p type silicon substrate çevrimiçi üretim

(81)
satın almak SP Yüzey 5 X 10mm2 Galyum Nitrür Yüzey 350um çevrimiçi üretici

SP Yüzey 5 X 10mm2 Galyum Nitrür Yüzey 350um
İletişim

5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-08 16:41:01
satın almak 6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um çevrimiçi üretici

6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um
İletişim

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:21:10
satın almak 2 İnç U GaN Substratları SI GaN Substratları 50,8 mm çevrimiçi üretici

2 İnç U GaN Substratları SI GaN Substratları 50,8 mm
İletişim

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 350 ± 25 μm 50.8 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN Template ... Daha fazla bilgi edinin
2024-10-14 17:06:30
satın almak SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2 çevrimiçi üretici

SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2
İletişim

5*10mm2 SP-face (11-12) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Because GaN transistors are able to turn on faster than silicon ... Daha fazla bilgi edinin
2025-04-27 11:43:51
satın almak Tek Kristal GaN Epitaksiyel Gofret 2 inç C Yüz Katkısız N Tipi çevrimiçi üretici

Tek Kristal GaN Epitaksiyel Gofret 2 inç C Yüz Katkısız N Tipi
İletişim

2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview High-quality GaN free-standing substrates with low dislocation density suitable ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-08 16:00:57
satın almak 0.001-100 ohm-cm Silikon Gofret P Tipi Bor Katkısı çevrimiçi üretici

0.001-100 ohm-cm Silikon Gofret P Tipi Bor Katkısı
İletişim

0.001-100 ohm-cm Silicon Wafer Particle Daha fazla bilgi edinin
2022-09-27 16:52:32
satın almak N Tipi Sb N Tipi Silikon Gofret Olarak 6 İnç 8 İnç çevrimiçi üretici

N Tipi Sb N Tipi Silikon Gofret Olarak 6 İnç 8 İnç
İletişim

Growth Method CZ Silicon Wafer Standard ± 25μm,Maximum Capabilities ± 5μm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Nearly all the electronic ... Daha fazla bilgi edinin
2023-02-17 12:43:17
satın almak Ayrık Cihazlar 2 İnç Silikon Gofret Kalınlığı 675um 725um 775um çevrimiçi üretici

Ayrık Cihazlar 2 İnç Silikon Gofret Kalınlığı 675um 725um 775um
İletişim

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer Thickness(μm) 279/380/525/625/675/725/775 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Demand for semiconductor... Daha fazla bilgi edinin
2022-09-27 16:50:52
satın almak SiC N Tipi Yüzey çevrimiçi üretici

SiC N Tipi Yüzey
İletişim

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Currently silicon carbide (SiC) is widely used for ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-09 16:57:15
satın almak A Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Substratları çevrimiçi üretici

A Face GaN Epitaksiyel Gofret Serbest Daimi GaN Substratları
İletişim

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Daha fazla bilgi edinin
2023-02-17 10:57:06
Page 3 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret tedarikçi. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.