Teklif isteği |
Ana sayfa Ürünlergan epitaxial wafer çevrimiçi üretici
Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

gan epitaxial wafer çevrimiçi üretim

(84)
satın al A Yüz N Tipi Dikili Tip GaN Galyum Tek Kristal Yüzey Katkısız çevrimiçi Üretici

A Yüz N Tipi Dikili Tip GaN Galyum Tek Kristal Yüzey Katkısız
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2023-02-17 11:02:58
satın al Tek Kristal Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret TTV 10um çevrimiçi Üretici

Tek Kristal Galyum Nitrür Yarı İletken Gofret TTV 10um
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2024-10-29 11:49:57
satın al 10 X 10,5 mm2 Serbest duran GaN substratları - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm çevrimiçi Üretici

10 X 10,5 mm2 Serbest duran GaN substratları - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-27 11:43:50
satın al 2 inç C-Face Fe-Katkılı SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci > 10⁶ Ω·cm RF Cihazları çevrimiçi Üretici

2 inç C-Face Fe-Katkılı SI-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci > 10⁶ Ω·cm RF Cihazları
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:44
satın al 10*10.5mm2 C-Yüz Fe-Doped SI-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Altyapı Makro Kusur yoğunluğu 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Direnci 106 Ω·Cm RF Aygıtları Wafer çevrimiçi Üretici

10*10.5mm2 C-Yüz Fe-Doped SI-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Altyapı Makro Kusur yoğunluğu 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Direnci 106 Ω·Cm RF Aygıtları Wafer
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-27 11:43:51
satın al 5*10mm2 M-Yüzü Katkısız N-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci < 0,05 Ω·cm Güç Cihazı/Lazer çevrimiçi Üretici

5*10mm2 M-Yüzü Katkısız N-Tipi Bağımsız GaN Tek Kristal Substrat Direnci < 0,05 Ω·cm Güç Cihazı/Lazer
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:38
satın al 10*10.5mm2 GaN Tek Kristal Yüzey Kalınlığı 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm çevrimiçi Üretici

10*10.5mm2 GaN Tek Kristal Yüzey Kalınlığı 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:27
satın al 5*10mm2 A-yüz Katkısız n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Direnç &lt; 0,05 Ω·cm Güç cihazı/lazer çevrimiçi Üretici

5*10mm2 A-yüz Katkısız n-tipi serbest duran GaN tek kristal substrat Direnç < 0,05 Ω·cm Güç cihazı/lazer
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:36
satın al 5*10mm2 SP-Face (10-11) Katkısız SI-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci &gt; 10⁶ Ω·Cm RF Cihazı çevrimiçi Üretici

5*10mm2 SP-Face (10-11) Katkısız SI-Tipi Serbest Duran GaN Tek Kristal Yüzey Direnci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazı
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:36
satın al 10*10.5mm2 GaN Tek Kristal Substrat C Düzlemi (0001) M Eksenine Doğru Açı Dışı 0.35 ±0.15° çevrimiçi Üretici

10*10.5mm2 GaN Tek Kristal Substrat C Düzlemi (0001) M Eksenine Doğru Açı Dışı 0.35 ±0.15°
İletişim

Daha fazla bilgi edinin
2025-04-04 22:43:30
Page 5 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret Tedarikçi. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.