Teklif isteği |
Ana sayfa Ürünlersemiconductor gallium arsenide wafer çevrimiçi üretici
Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret

(65)

Sic Epitaksiyel Gofret

(39)

GaAs Epi Gofret

(15)

CVD Elmas Yüzeyler

(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

(3)

Alüminyum Nitrür Gofret

(21)

Lazer Diyot Çipi

(10)

Silisyum Karbür Kristal

(12)

Ga2O3 Gofret

(13)

Silikon plaka

(26)

Safir Gofret

(19)

Desenli Safir Yüzeyler

(10)

Gofret Tutucu

(1)

Gofret Doğrama Makinesi

(5)
Sertifika
Çin Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sertifikalar
Ben sohbet şimdi

semiconductor gallium arsenide wafer çevrimiçi üretim

(10)
satın almak Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS çevrimiçi üretici

Yarı İletken Bileşik 2 inç GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
İletişim

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Daha fazla bilgi edinin
2022-09-27 17:18:19
satın almak 18mm GaAs Si Gofret 2 inç GaAs Katkısız Yüzeyler VGF S-C-N çevrimiçi üretici

18mm GaAs Si Gofret 2 inç GaAs Katkısız Yüzeyler VGF S-C-N
İletişim

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-09 09:53:40
satın almak Yüksek Voltajlı Yüksek Frekanslı Çip Üretimi için GaN Epitaxial Wafer Esas çevrimiçi üretici

Yüksek Voltajlı Yüksek Frekanslı Çip Üretimi için GaN Epitaxial Wafer Esas
İletişim

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Daha fazla bilgi edinin
2024-12-06 17:47:04
satın almak LED Lazer PIN Cihazı için 2 ′′ 6 inçlik N Tipi GaN On Sapphire Epitaxial Wafer çevrimiçi üretici

LED Lazer PIN Cihazı için 2 ′′ 6 inçlik N Tipi GaN On Sapphire Epitaxial Wafer
İletişim

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Daha fazla bilgi edinin
2024-12-06 17:48:43
satın almak Güç Cihazları Mikrodalga Cihazları İçin 2 İnç Yarı İletken Gofret P Seviyesi 260μm çevrimiçi üretici

Güç Cihazları Mikrodalga Cihazları İçin 2 İnç Yarı İletken Gofret P Seviyesi 260μm
İletişim

JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:25:55
satın almak 150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 4H Kristal Form çevrimiçi üretici

150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 4H Kristal Form
İletişim

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:20:57
satın almak 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 47.5mm ± 1.5mm çevrimiçi üretici

150.0mm +0mm/-0.2mm SiC Epitaksiyel Gofret 47.5mm ± 1.5mm
İletişim

150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:23:40
satın almak 6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um çevrimiçi üretici

6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um
İletişim

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Daha fazla bilgi edinin
2022-10-24 10:21:10
satın almak JDCD10-001-002 2 inç GaAs (100) Si Doped Substratlar çevrimiçi üretici

JDCD10-001-002 2 inç GaAs (100) Si Doped Substratlar
İletişim

2inch GaAs (100) Si-doped substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Daha fazla bilgi edinin
2025-04-27 11:43:51
satın almak Üretimi artırmak için hızlı termal işleme RTP-SA-8 kızartma sistemi çevrimiçi üretici

Üretimi artırmak için hızlı termal işleme RTP-SA-8 kızartma sistemi
İletişim

1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat ... Daha fazla bilgi edinin
2024-12-06 17:48:00
Page 1 of 1
Hakkında

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP

Mesaj bırak

Gizlilik Politikası | Çin iyi Kalite GaN Epitaksiyel Gofret tedarikçi. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.