Ana sayfa Ürünlersic epitaxial wafer c face çevrimiçi üretici

Tüm ürünler

GaN Epitaksiyel Gofret
(61)

Sic Epitaksiyel Gofret
(28)

GaAs Epi Gofret
(15)

CVD Elmas Yüzeyler
(15)

Hızlı Termal Tavlama Sistemi
(2)

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı
(3)

Alüminyum Nitrür Gofret
(21)

Lazer Diyot Çipi
(10)

Silisyum Karbür Kristal
(12)

Ga2O3 Gofret
(13)

Silikon plaka
(26)

Safir Gofret
(19)

Desenli Safir Yüzeyler
(10)

Gofret Tutucu
(1)

Gofret Doğrama Makinesi
(5)

Sertifika

Ben sohbet şimdi

sic epitaxial wafer c face çevrimiçi üretim

(26)

6 inç 4H SiC N Tipi Yüzey 47,5 mm İkincil Düz Yok
İletişim

Daha fazla bilgi edinin

2022-10-24 10:26:17

6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um
İletişim

Daha fazla bilgi edinin

2022-10-24 10:21:10

Güç Cihazları ve Mikrodalga Cihazları İçin 260μm Silisyum Karbür Substrat P Seviyesi
İletişim

Daha fazla bilgi edinin

2023-02-17 17:14:50

SP Yüzey 5 X 10mm2 Galyum Nitrür Yüzey 350um
İletişim

Daha fazla bilgi edinin

2022-10-08 16:41:01

N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm
İletişim

Daha fazla bilgi edinin

2022-10-24 10:22:34

4 inç 4H-SiC Yüzey P Seviyesi SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Direnç≥1E9Ω·Cm Güç ve Mikrodalga İçin
İletişim

Daha fazla bilgi edinin

2022-10-24 10:37:50

Page 3 of 3|< << 1 2 3 >> >|

GaN Epitaksiyel Gofret

Sic Epitaksiyel Gofret

GaAs Epi Gofret

CVD Elmas Yüzeyler

Hızlı Termal Tavlama Sistemi

Hall Etkisi Sensörü Test Cihazı

Alüminyum Nitrür Gofret

Lazer Diyot Çipi

Silisyum Karbür Kristal

Ga2O3 Gofret

Silikon plaka

Safir Gofret

Desenli Safir Yüzeyler

Gofret Tutucu

Gofret Doğrama Makinesi

sic epitaxial wafer c face çevrimiçi üretim

6 inç 4H SiC N Tipi Yüzey 47,5 mm İkincil Düz Yok
İletişim

6 inç N Tipi Gofret P MOS Sınıf 4H SiC Yüzey 350,0 ± 25,0um
İletişim

Güç Cihazları ve Mikrodalga Cihazları İçin 260μm Silisyum Karbür Substrat P Seviyesi
İletişim

SP Yüzey 5 X 10mm2 Galyum Nitrür Yüzey 350um
İletişim

N Tipi 6 inç 4H Silisyum Karbür Yüzey Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm
İletişim

4 inç 4H-SiC Yüzey P Seviyesi SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Direnç≥1E9Ω·Cm Güç ve Mikrodalga İçin
İletişim

GaN Epitaksiyel Gofret

2 inç GaN Epitaksiyel Gofret C Yüz Fe Katkılı SI Tipi Serbest Daimi

Fe Katkılı GaN Substrat Özdirenci > 10⁶ Ω·Cm RF Cihazları

2 inç Bağımsız SI-GaN Substratlar

Sic Epitaksiyel Gofret

Eğim Verme SiC Epitaksiyel Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Kristal Form SiC Epitaksiyel Gofret Gofret Kenar Eğimi 350.0um ± 25.0um

Tek Kristal SiC Epitaksiyel Wafer C-Face Optik Cilalı Si-Face CMP