Sorry! This product is no longer available.

Let's see if there are any related products that interest you
product is no longer available.
Önerilen Ürünler
SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2

SP-Face 11-12 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Alt Yumuşaklığı 0,05 Ω·cm Makro Defekt yoğunluğu 0cm−2

JDCD10-001-002 2 inç GaAs (100) Si Doped Substratlar

JDCD10-001-002 2 inç GaAs (100) Si Doped Substratlar

JDCD10-001-003 2 inç GaAs ((100) Zn Doped Substratlar

JDCD10-001-003 2 inç GaAs ((100) Zn Doped Substratlar

JDCD10-001-004 2 Inch GaAs (111) Si Doped Substratlar

JDCD10-001-004 2 Inch GaAs (111) Si Doped Substratlar

JDCD10-001-005 2 Inch GaAs ((111) Zn Doped Substratlar

JDCD10-001-005 2 Inch GaAs ((111) Zn Doped Substratlar

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn Katkılı Serbest Dikili Ga2O3 Tek Kristal Yüzey Ürün Sınıfı Tek Parlatma

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn Katkılı Serbest Dikili Ga2O3 Tek Kristal Yüzey Ürün Sınıfı Tek Parlatma

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Tek Kristal Substrat Ürün Sınıfı Tek cilalama

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Tek Kristal Substrat Ürün Sınıfı Tek cilalama

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn Katkılı Serbest Dikili Ga2O3 Tek Kristal Yüzey Ürün Sınıfı Tek Parlatma

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn Katkılı Serbest Dikili Ga2O3 Tek Kristal Yüzey Ürün Sınıfı Tek Parlatma

350 ± 25μm Kalınlığı TTV ≤ 10μm ve direnç 0.1 Ω·cm'li dopanmamış N tipi serbest duran GaN tek kristal substratı

350 ± 25μm Kalınlığı TTV ≤ 10μm ve direnç 0.1 Ω·cm'li dopanmamış N tipi serbest duran GaN tek kristal substratı

5*10mm2 SP-Face Doped olmayan N tipi serbest duran GaN tek kristal substratı 20-21 / 20-2-1 10mm2 Direnci 0.05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face Doped olmayan N tipi serbest duran GaN tek kristal substratı 20-21 / 20-2-1 10mm2 Direnci 0.05 Ω·cm

JDCD06-001-005 6 inçlik silikon levha MEMS cihazları Entegre devreler Ayrı cihazlar için özel substratlar

JDCD06-001-005 6 inçlik silikon levha MEMS cihazları Entegre devreler Ayrı cihazlar için özel substratlar

JDCD06-001-004 5 inçlik silikon levha MEMS cihazları Entegre devreler Ayrı cihazlar için özel substratlar

JDCD06-001-004 5 inçlik silikon levha MEMS cihazları Entegre devreler Ayrı cihazlar için özel substratlar

10*10.5mm2 C-Yüz Fe-Doped SI-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Altyapı Makro Kusur yoğunluğu 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Direnci 106 Ω·Cm RF Aygıtları Wafer

10*10.5mm2 C-Yüz Fe-Doped SI-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Altyapı Makro Kusur yoğunluğu 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Direnci 106 Ω·Cm RF Aygıtları Wafer

JDCD06-001-006 8 inçlik silikon levha MEMS cihazları entegre devreler ayrık cihazlar için özel substratlar

JDCD06-001-006 8 inçlik silikon levha MEMS cihazları entegre devreler ayrık cihazlar için özel substratlar

JDCD06-001-007 12 inçlik silikon levha MEMS cihazları Entegre devreler Ayrı cihazlar için özel substratlar

JDCD06-001-007 12 inçlik silikon levha MEMS cihazları Entegre devreler Ayrı cihazlar için özel substratlar

Güç Aygıtı 5x10mm2 N tipi dopanmamış serbest duran GaN tek kristal substratı direnci 0.1 Ω·cm ve 10μm içinde BOW

Güç Aygıtı 5x10mm2 N tipi dopanmamış serbest duran GaN tek kristal substratı direnci 0.1 Ω·cm ve 10μm içinde BOW

5x10mm2 SP-Face 10-11 TTV ≤ 10μm direnci 0.05 Ω·cm ile dopanmamış N tipi serbest duran GaN tek kristal substrat

5x10mm2 SP-Face 10-11 TTV ≤ 10μm direnci 0.05 Ω·cm ile dopanmamış N tipi serbest duran GaN tek kristal substrat

5*10mm2 SP-Face 10-11 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Substrat 0.1 Ω·cm Güç Aygıtı için Direnci

5*10mm2 SP-Face 10-11 Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Substrat 0.1 Ω·cm Güç Aygıtı için Direnci

Makro Kusur yoğunluğu 0cm−2 Dövizlenmemiş SI tipi RF cihazları için serbest duran GaN tek kristal substratı 5*10mm2 M yüzü

Makro Kusur yoğunluğu 0cm−2 Dövizlenmemiş SI tipi RF cihazları için serbest duran GaN tek kristal substratı 5*10mm2 M yüzü

TTV ≤ 10μm A-Yüzü Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Substrat Direnci 0.1 Ω·cm Güç Cihazı/Lazer W

TTV ≤ 10μm A-Yüzü Dopedilmemiş N-Tip Özgür Kalkan GaN Tek Kristal Substrat Direnci 0.1 Ω·cm Güç Cihazı/Lazer W